Crystal Growth of N-polar Nitride Semiconductor Heterostructures with Two-Dimensional Electron Gas

二维电子气N极氮化物半导体异质结构的晶体生长

基本信息

批准号：
16H03857
负责人：
Matsuoka Takashi
金额：
$ 10.4万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

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MOVPE growth of N-polar GaN/AlGaN/GaN heterostructure on small off-cut substrate for flat interface

在小切边基板上 MOVPE 生长 N 极 GaN/AlGaN/GaN 异质结构以实现平坦界面

DOI：
10.1109/iciprm.2016.7528837
发表时间：
2016
期刊：
2016 Compound Semiconductor Week, CSW 2016
影响因子：
0
作者：
K. Prasertsuk;S. Tanaka;T. Tanikawa;K. Shojiki;T. Kimura;A. Miura;R. Nonoda;F. Hemmi;S. Kuboya;R. Katayama;T. Suemitsu;T. Matsuoka
通讯作者：
T. Matsuoka

Influence of Growth Conditions on Transport Properties in Undoped N-polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

生长条件对有机金属气相外延生长的未掺杂 N 极 (000-1) GaN 输运特性的影响

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Tanikawa;K. Prasertsuk;A. Miura;S. Kuboya;R. Katayama;and T. Matsuoka
通讯作者：
and T. Matsuoka

MOVPEによる窒素極性窒化物半導体成長

MOVPE 生长氮极性氮化物半导体

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Tanikawa;K. Shojiki;R. Katayama;S. Kuboya;T. Matsuoka;Y.;T. Tanikawa，T. Fujita，K. Kojima，S. F. Chichibu，and T. Matsuoka;松岡隆志，谷川智之，窪谷茂幸
通讯作者：
松岡隆志，谷川智之，窪谷茂幸

Reverse-Bias-Induced Virtual Gate Phenomenon in N-Polar GaN HEMTs

N 极 GaN HEMT 中反向偏置引起的虚拟栅极现象

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Suemitsu;K. Prasertsuk;T. Tanikawa;T. Kimura;S. Kuboya;and T. Matsuoka
通讯作者：
and T. Matsuoka

窒素極性GaN MIS-HEMTにおける逆バイアスアニールの効果

反向偏压退火对氮极性GaN MIS-HEMT的影响

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
末光哲也;K. Prasertsuk;谷川智之;木村健司;窪谷茂幸;松岡隆志
通讯作者：
松岡隆志

DOI：
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作者：
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Matsuoka Takashi其他文献

双極性障害と認知機能障害

双相情感障碍和认知功能障碍

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
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影响因子：
0
作者：
Hikita Masayuki;Shiga Tetsuya;Osakabe Yusuke;Mori Yuhei;Hotsumi Hirotoshi;Nozaki Michinari;Hoshino Hiroshi;Kanno Kazuko;Itagaki Shuntaro;Matsuoka Takashi;Yabe Hirooki;豊島邦義
通讯作者：
豊島邦義

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DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
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影响因子：
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作者：
Prasertsuk Kiattiwut;Suemitsu Tetsuya;Matsuoka Takashi
通讯作者：
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Characterization of the ScAlMgO4 cleaving layer by X-ray crystal truncation rod scattering

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DOI：
10.1063/1.5031024
发表时间：
2018
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Hanada Takashi;Tajiri Hiroo;Sakata Osami;Fukuda Tsuguo;Matsuoka Takashi
通讯作者：
Matsuoka Takashi

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DOI：
10.2207/qjjws.21.532
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
0
作者：
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通讯作者：
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DOI：
10.1016/j.biopsycho.2020.107848
发表时间：
2020
期刊：
Biological Psychology
影响因子：
2.6
作者：
Hikita Masayuki;Shiga Tetsuya;Osakabe Yusuke;Mori Yuhei;Hotsumi Hirotoshi;Nozaki Michinari;Hoshino Hiroshi;Kanno Kazuko;Itagaki Shuntaro;Matsuoka Takashi;Yabe Hirooki
通讯作者：
Yabe Hirooki