Development of ZnO-based semiconductor flexible device fabrication processes by using atomic-oxygen-assisted molecular beam epitaxy growth
利用原子氧辅助分子束外延生长开发ZnO基半导体柔性器件制造工艺
基本信息
- 批准号：16K06297
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
プラズマドーピング法を用いたp型SiCの作製装置の立ち上げ
推出采用等离子体掺杂法的 p 型 SiC 制造设备
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：深井健太;鍋谷暢一;村中司;松本俊
- 通讯作者：松本俊
極薄チャネルZnO-TFTにおける熱処理の効果
热处理对超薄沟道ZnO-TFT的影响
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：池内達紀;若林岳;佐々木涼介;高木誠也;村中司;鍋谷暢一;松本俊
- 通讯作者：松本俊
プラズマ支援分子線堆積法による フレキシブル基板上へのGZO透明導電膜の形成と評価 (3)
使用等离子体辅助分子束沉积在柔性基板上形成 GZO 透明导电薄膜并进行评估 (3)
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：村中司;小野裕俊;寺田佳史;渡辺三志郎;鍋谷暢一;松本俊
- 通讯作者：松本俊
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