Development of ZnO-based Thin Film Transistors with Ultra-thin Al_2O_3 Films as Gate Dielectrics

以超薄Al_2O_3薄膜作为栅介质的ZnO基薄膜晶体管的研制

• 批准号: 21760234
• 负责人: MURANAKA Tsutomu
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: University of Yamanashi
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21760234/
• 关键词: 薄膜・量子構造; 薄膜トランジスタ; MBE, エピタキシャル; 半導体物性; 表面・界面物性; デバイス設計・製造プロセス; MBE,エピタキシャル

Ultra-thin Al_2O_3 films as high-k gate dielectric for ZnO-based thin film transistors were formed by using atomic oxygen treatments. The films were carefully characterized by X-ray photoelectron spectroscopy, X-ray reflectometry and scanning electron microscopy in order to investigate the details of surface oxidation process of the aluminum films. The oxidation process using the atomic oxygen treatment is found to be effective for formation of ultra-thin Al_2O_3 layers.

通过原子氧处理形成超薄 Al_2O_3 薄膜作为 ZnO 基薄膜晶体管的高 k 栅极电介质。通过X射线光电子能谱、X射线反射仪和扫描电子显微镜对薄膜进行了仔细表征，以研究铝薄膜表面氧化过程的细节。发现使用原子氧处理的氧化工艺对于形成超薄Al_2O_3层是有效的。

项目成果

低温成長GaドープZnO薄膜(1)-電気的特性-

低温生长Ga掺杂ZnO薄膜（1）-电性能-

• 发表时间: 2010
• 作者: S.Ohmagari;T.Yoshitake;Akira Nagano;S.AL-Riyami;R.Ohtani;H.Setoyama;E.Kobayashi;T.Hara;K.Nagayama;Tetsuro Sueyoshi;堀井貴大,佐野志保,村中司,鍋谷暢一,松本俊,平木哲,古川英明,深沢明広,坂本慎吾,萩原茂,河野裕,木島一広,安部治,八代浩二
• 通讯作者: 堀井貴大,佐野志保,村中司,鍋谷暢一,松本俊,平木哲,古川英明,深沢明広,坂本慎吾,萩原茂,河野裕,木島一広,安部治,八代浩二

Electrical properties of Gadoped ZnO transparent conducting films prepared at temperatures close to room temperature

接近室温条件下制备的Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的电学性能

• 发表时间: 2010
• 作者: T. Matsumoto;K. Mizuguchi;T. Horii;S. Sano;T. Muranaka;Y. Nabetani;S. Hiraki;H. Furukawa;A. Fukasawa;S. Sakamoto;S. Hagihara;Y. Kono;K. Kijima;O. Abe;K. Yashiro
• 通讯作者: K. Yashiro

ZnO-TFTのI-V特性と深い準位の測定

ZnO-TFT的I-V特性和深能级测量

• 发表时间: 2010
• 作者: Kazuya Maeda;Kunihiko Tanaka;HisaoUchiki;西辻正典;松井裕章;榊原章剛,森雄大,佐野志保,堀井貴大,村中司,鍋谷暢一,松本俊
• 通讯作者: 榊原章剛,森雄大,佐野志保,堀井貴大,村中司,鍋谷暢一,松本俊

Nitrogen doping on ZnO films grown by plasma-assisted MBE and its effects to the transport properties of TFTs

等离子体辅助MBE生长的ZnO薄膜的氮掺杂及其对TFT传输特性的影响

• 发表时间: 2011
• 作者: T. Muranaka;Y. Ushiyama;N. Marumo;T. Horii;S. Sano;K. Mizuguchi;Y. Sakurai;Y. Nabetani;T. Matsumoto
• 通讯作者: T. Matsumoto

Effects of Ga Doping and Substrate Temperature on Electrical properties of ZnO Transparent Conducting Films Grown by Plasma-Assisted Deposition

Ga 掺杂和衬底温度对等离子体辅助沉积 ZnO 透明导电薄膜电性能的影响

• DOI: 10.1143/jjap.50.05fb13
• 发表时间: 2011
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: 松井裕章;他;T.Muranaka
• 通讯作者: T.Muranaka