Spektral breitbandige Antimonid-Übergitter-Photodetektoren mit Photoleitungsverstärkung

具有光电导放大功能的光谱宽带锑化物超晶格光电探测器

• 批准号: 5438389
• 负责人: Professor Dr. Henning Fouckhardt
• 金额: --
• 依托单位: Arbeitsgruppe Integrierte Optoelektronik und Mikrooptik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2004
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2003-12-31 至 2007-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5438389?language=en
• 关键词: Spektral; breitbandige; Antimonid; bergitter; Photodetektoren

In dem abgeschlossenen DFG-Projekt (Fo 157/13) konnte die Arbeitsgruppe wellenleitergestützte, spektral sehr breitbandige Antimonid-Übergitter-pn-Photodioden auf GaSb- und InAs-Substrat realisieren, welche - obwohl noch nicht optimiert - selbst bei Raumtemperatur hohe Photoempfindlichkeiten zeigen, die die stark gekühlter Detektoren anderer Gruppen übertreffen und die im Vis/NIR nur mit hohen Photoleitungsverstärkungen (auch ohne Vorspannung) erklärt werden können. Nun soll die Detektivität im MIR-Bereich noch weiter erhöht und dadurch insgesamt spektral homogenisiert werden, durch Verdickung des MIR-absorbierenden InAs(Sb)/Ga(InAs)Sb-Übergitters und Variation z.B. der Einzelschichtdicken im Übergitter. Gleichzeitig soll die Ursache für die hohe Photoleitungsverstärkung ohne Vorspannung geklärt werden, durch schrittweise Veränderung der Zusammensetzung der Quantenfilme (Veränderung ihrer Kopplung) und des Wellenleiterkerns, dessen beiden Teile für die eingebetteten Quantenfilme als Ladungsträger-Barrieren wirken. Die Erkenntnisse sollen zur weiteren Bauelement-Optimierung genutzt werden. Alternativ zu den Photodioden sollen auch entsprechende Photoleiter betrachtet werden. Alle Strukturen werden auf GaSb- und InAs-Substraten molekularstrahlepitaktisch gewachsen.

在 DFG-Projekt (Fo 157/13) 中，与 Arbeitsgruppe wellenleitergestützte 相关，将锑-Übergitter-pn-Photodioden auf GaSb- 和 InAs-Substrate 进行光谱测量，以实现最佳化 - 自行优化光测量的温度、温度、探测器组和探测器组以及可见光/近红外光的温度都很高，并且可以进行光测量。 der Einzelschichtdicken im Übergitter soll die Ursache für die hohe。摄影前的拍摄、拍摄和拍摄 Quantenfilme (Veränderung ihrer Kopplung) 和 Wellenleitekerns，以及将 Quantenfilme 作为 Ladungsträger-Barrieren 进行的拍摄。请参阅关于光电二极管的替代方案。