Transversal monomodige Ga(As)Sb-Quantenpunkt-Antimonid-Breitstreifenlaser

横向单模 Ga(As)Sb 量子点锑化物宽带激光器

• 批准号: 200427768
• 负责人: Professor Dr. Henning Fouckhardt
• 金额: --
• 依托单位: Arbeitsgruppe Integrierte Optoelektronik und Mikrooptik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2010-12-31 至 2015-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/200427768?language=en
• 关键词: Transversal; monomodige; Ga; Sb; Quantenpunkt

Quantenpunkt-Laser im Materialsystem InAs/GaAs sind seit etwa 12 Jahren bekannt. Im Materialsystem Ga(As)Sb/GaAs hingegen gibt es bisher wenige entsprechende Bemühungen. Diejenigen der Arbeitsgruppe des Antragstellers haben zu sehr dichten Quantenpunkten sowie elektrisch gepumpt bei Raumtemperatur gepulst emittierenden Quantenpunkt-Lasern geführt (dazu sind zwei Veröffentlichungen in Vorbereitung). Durch Variation der Molekularstrahlepitaxie-Parameter im Stranski-Krastanov-Modus können die Quantenpunkt-Eigenschaften variiert und die Emissionswellenlängen bisher zwischen 0,876 und 1,035 µm eingestellt werden. Eine andere erfolgreiche Aktivität der Gruppe dreht sich um Quantenfilm-Antimonid-Breitstreifenlaser (´broad area laser, BAL), in die Fourier-optische Transversalmodenselektoren (TMS) monolithisch integriert sind. Solche Strukturen sind geeignet, hohe optische Leistungen in der transversalen Grundmode zu emittieren. Die Kombination aus beiden Forschungsthemen, i. e. Antimonid-Quantenpunktlaser und BAL-TMS-Laser, ist Kern des hier beantragten Vorhabens. Die Bemühungen sollten effiziente Ga(As)Sb-Hochleistungslaser ermöglichen, unter anderem auch um 1,3 µm Emissionswellenlänge. Dies ist für Anwendungen in der Nah-/Mittelinfrarot-Spektroskopie wichtig, könnte zum Beispiel aber auch relevant sein, um die nachteilbehafteten InGaAsP/ InP-Laser der optischen Nachrichtentechnik mittelfristig ersetzen zu können.

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项目成果

GaSb quantum dots on GaAs with high localization energy of 710 meV and an emission wavelength of 1.3 µm

GaAs 上的 GaSb 量子点具有 710 meV 的高局域化能量和 1 3 µm 的发射波长

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.06.045
• 发表时间: 2014
• 期刊: Journal of Crystal Growth
• 影响因子: 1.8
• 作者: J. Richter;J. Strassner;Th.H. Loeber;H. Fouckhardt;T. Nowozin;L. Bonato;D. Bimberg;D. Braam;A. Lorke
• 通讯作者: A. Lorke

Monitoring of (reactive) ion etching (RIE) with reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) equipment

• DOI: 10.1016/j.apsusc.2014.12.038
• 发表时间: 2015-02-15
• 期刊: APPLIED SURFACE SCIENCE
• 影响因子: 6.7
• 作者: Barzen, Lars;Richter, Johannes;Kopnarsk, Michael
• 通讯作者: Kopnarsk, Michael