Study of structure modification of boron nitride films by plasma exposure - the effect of ion energy distribution function

等离子体曝光氮化硼薄膜结构改性研究——离子能量分布函数的影响

基本信息

  • 批准号:
    15H04159
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 10.32万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2015
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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Time-dependent dielectric breakdown characterizations of interlayer dielectric damage induced during plasma processing
等离子体处理过程中引起的层间介电损伤的时间相关介电击穿特性
  • DOI:
    10.7567/jjap.56.06hd03
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Kengo Shinohara;Kentaro Nishida;Kouichi Ono;and Koji Eriguchi
  • 通讯作者:
    and Koji Eriguchi
Modeling of defect generation during plasma etching and its impact on electronic device performance-plasma-induced damage
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Noma;K. Eriguchi;M. Yamashita;S. Hasegawa
  • 通讯作者:
    S. Hasegawa
Defect generation in electronic devices under plasma exposure: Plasma-induced damage
大阪大学 産業科学研究所 量子システム創成研究分野
大阪大学产业科学研究所量子系统创造研究部
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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  • 影响因子:
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    2.9
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  • 通讯作者:
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  • 发表时间:
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  • 影响因子:
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  • 通讯作者:
    金子 俊郎
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  • 通讯作者:
    金子 俊郎

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  • 资助金额:
    $ 10.32万
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  • 批准号:
    07J08820
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 10.32万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
    15631005
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 10.32万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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