Study of structure modification of boron nitride films by plasma exposure - the effect of ion energy distribution function
等离子体曝光氮化硼薄膜结构改性研究——离子能量分布函数的影响
基本信息
- 批准号:15H04159
- 负责人:
- 金额:$ 10.32万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2015
- 资助国家:日本
- 起止时间:2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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Time-dependent dielectric breakdown characterizations of interlayer dielectric damage induced during plasma processing
等离子体处理过程中引起的层间介电损伤的时间相关介电击穿特性
- DOI:10.7567/jjap.56.06hd03
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:Kengo Shinohara;Kentaro Nishida;Kouichi Ono;and Koji Eriguchi
- 通讯作者:and Koji Eriguchi
Modeling of defect generation during plasma etching and its impact on electronic device performance-plasma-induced damage
- DOI:10.1088/1361-6463/aa7523
- 发表时间:2017-08-23
- 期刊:
- 影响因子:3.4
- 作者:Eriguchi, Koji
- 通讯作者:Eriguchi, Koji
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采用反应等离子体辅助涂层 (RePAC) 技术进行真空摩擦学氮化硼薄膜涂层 - 降低真空下的摩擦系数 -
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Noma;K. Eriguchi;M. Yamashita;S. Hasegawa
- 通讯作者:S. Hasegawa
Defect generation in electronic devices under plasma exposure: Plasma-induced damage
- DOI:10.7567/jjap.56.06ha01
- 发表时间:2017-05
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:K. Eriguchi
- 通讯作者:K. Eriguchi
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Multi-energy handling of fast flavor conversions with matter collisions
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- 发表时间:
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金子 俊郎
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- 批准号:
21246112 - 财政年份:2009
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Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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- 资助金额:
$ 10.32万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 批准号:
15631005 - 财政年份:2003
- 资助金额:
$ 10.32万 - 项目类别:
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