Study on high efficiency multi stacked quantum dot laser with thin barrier layer

薄势垒层高效多层堆叠量子点激光器研究

基本信息

  • 批准号:
    15K06041
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.16万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2015
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
半導体レーザの自己結合効果を利用したレーザマイクロホンの超音波帯域特性
利用半导体激光器自耦合效应的激光麦克风超声频段特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Guo-Wei Lu;Tianwai Bo; Takahide Sakamoto; Kouich Akahane; Benjamin Puttnam; Calvin Chun-Kit Chan; Naokatsu Yamamoto;水嶋大輔,吉松剛,五島敬史郎,津田紀生,山田諄
  • 通讯作者:
    水嶋大輔,吉松剛,五島敬史郎,津田紀生,山田諄
自己結合効果による端子間電圧変化を用いたレーザ測距のための信号処理
利用自耦合效应引起的端电压变化进行激光测距信号处理
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    吉松剛;五島敬史郎;青木道宏;津田紀生;山田諄
  • 通讯作者:
    山田諄
High Efficiency Light Emission using silicon P-I-N structure with alkali meal doping
使用碱金属掺杂的硅 P-I-N 结构实现高效率发光
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    W Niwa;R Kobayashi;Y Sugishita;and K;Goshima
  • 通讯作者:
    Goshima
積層量子ドット間距離の違いによる中間バンド形成の観察
观察由于堆叠量子点之间的距离差异而形成的中间带
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    犬飼圭裕;五島敬史郎,津田紀生;菅谷武芳
  • 通讯作者:
    菅谷武芳
Nanophotonic devices based on semiconductor quantum nanostructures
基于半导体量子纳米结构的纳米光子器件
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kazuhiro KOMORI;Takeyoshi SUGAYA;Takeru AMANO and Keishiro GOSHIMA
  • 通讯作者:
    Takeru AMANO and Keishiro GOSHIMA
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

GOSHIMA Keishiro其他文献

GOSHIMA Keishiro的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('GOSHIMA Keishiro', 18)}}的其他基金

High Efficiency Quantum Dots Laser using Subband Carrier Dynamics
使用子带载波动力学的高效量子点激光器
  • 批准号:
    23710158
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 3.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

相似海外基金

高容量密度・低リーク電流粗面トレンチ型キャパシタと革新的3次元集積デバイスの創出
创建高电容密度、低漏电流粗糙表面沟槽电容器和创新的 3D 集成器件
  • 批准号:
    22KJ0283
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 3.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Proposal of integratable two dimensional tunnel FET structure and demonstration of its ultra-low power operation
可集成二维隧道FET结构的提出及其超低功耗操作的演示
  • 批准号:
    22H00206
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 3.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Development of finishing methods for creation of atomically flat side-surfaces of three-dimensional nano-devices utilizing defect-site selective reactions
开发利用缺陷位点选择性反应创建三维纳米器件原子级平坦侧面的精加工方法
  • 批准号:
    20H02483
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 3.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study of multi-value spin-logic device development using InGaAs quantum well bilayer electron systems
利用InGaAs量子阱双层电子系统开发多值自旋逻辑器件的研究
  • 批准号:
    20K04631
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 3.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of an SOI pixel sensors with 3D integration for the Belle2 upgrade
为 Belle2 升级开发具有 3D 集成功能的 SOI 像素传感器
  • 批准号:
    19H00692
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 3.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了