High Efficiency Quantum Dots Laser using Subband Carrier Dynamics

使用子带载波动力学的高效量子点激光器

• 批准号: 23710158
• 负责人: GOSHIMA Keishiro
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: Aichi Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23710158/
• 关键词: 量子ドット; 半導体レーザ; サブバンド準位; 電子デバイス・電子機器

The purpose of this work is to develop a high efficiency quantum dots(QDs) laser, utilizing a subband formation with tunnel effect between the multi staked QDs structures. In this work, we have calculated the coupling of wave-function various barrier widths in QDs and the wave function have been coupled under 10nm barrier width. Through the calculation and experiments, it was shown that the Optical amplification factor was highest level in the multi stacked QD with as 3.5nm barrier width.

这项工作的目的是开发一种高效量子点（QD）激光器，利用多桩 QD 结构之间具有隧道效应的子带形成。在这项工作中，我们计算了量子点中不同势垒宽度的波函数的耦合，并且波函数在10nm势垒宽度下进行了耦合。通过计算和实验表明，势垒宽度为3.5nm的多层量子点中光学放大倍数达到最高水平。

项目成果

多重積層InGaAs半導体量子ドットの発光特性評価

多层InGaAs半导体量子点发光性能评价

• 发表时间: 2011
• 作者: 平井義和;柳生裕聖;牧野圭秀;上杉晃生;菅野公二;土屋智由;田畑修;大崎寿久;五島 敬史郎
• 通讯作者: 五島 敬史郎

多重積層 InGaAs 半導体量子ドットの発行 特性評価"

多层InGaAs半导体量子点的制备及表征

• 发表时间: 2011
• 作者: 五島敬史郎;津田紀生;山田諄 他
• 通讯作者: 山田諄 他

1.3um Quantum Dot Distributed Feed Back Laser with Half-Etching Mesa Vertical Grating using Cl2 Dry Etching process

1.3um 量子点分布式反馈激光器，采用 Cl2 干法刻蚀工艺，半刻蚀台面垂直光栅

• 发表时间: 2013
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Taiga Kodama;Toshihisa Osaki;Ryuji Kawano;Koki Kamiya;Norihisa Miki;and Shoji Takeuchi;KEISHIRO GOSHIMA
• 通讯作者: KEISHIRO GOSHIMA