Fabrication of fluoride resonant tunneling devices on Si with stable electrical properties by using surface inactive layers

利用表面惰性层在硅上制备具有稳定电性能的氟化物谐振隧道器件

• 批准号: 20360004
• 负责人: TSUTSUI Kazuo
• 金额: $ 11.15万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20360004/
• 关键词: 弗化物; ヘテロエピタキシー; 表面不活性; シリコン; ゲルマニウム; シリサイド; 共鳴トンネル; 超薄膜; ヘテロ構造; 化学反応抑制; バッファ層; エピタキシャルシリサイド; ニッケルシリサイド; 電子デバイス; 量子井戸; トンネル現象

For the resonant tunneling devices composed of ultra-thin fluoride multi layers fabricated on Si substrate, the strong chemical reactivity between Si and CdF_2 has been a significant problem. In this work, the inactive crystalline layers of germanium (Ge) or metal silcides were introduced at the interface between the fluoride layer and Si. This technique allowed the fluoride layers to be grown at higher temperature, which is a promising improvement for achieving device operation with good stability.

对于在Si衬底上制备的超薄氟化物多层谐振隧道器件来说，Si和CdF_2之间的强化学反应性一直是一个重要问题。在这项工作中，在氟化物层和硅之间的界面处引入了锗（Ge）或金属硅化物的非活性晶体层。该技术允许氟化物层在更高的温度下生长，这对于实现器件运行的良好稳定性来说是一个有希望的改进。

项目成果

シリサイドバッファ層を用いたSi基板上弗化物ヘテロ構造の成長

使用硅化物缓冲层在硅衬底上生长氟化物异质结构

• 发表时间: 2011
• 作者: 萱沼良介; 林優士; 齊藤昇; 高橋慶太; 筒井一生
• 通讯作者: 筒井一生

Ge基板上での高温成長による弗化物RTDの欠陥制御

通过在 Ge 基底上高温生长来控制氟化物 RTD 中的缺陷

• 发表时间: 2010
• 作者: 高橋慶太; 林優士; 萱沼良介; 齊藤昇; 筒井一生
• 通讯作者: 筒井一生

NiSi_2バッファ層を用いたSi基板上の弗化物ヘテロ構造の成長

使用NiSi_2缓冲层在Si衬底上生长氟化物异质结构

• 发表时间: 2009
• 作者: 吉住友樹; 齊藤昇; 大下隆生; 筒井一生
• 通讯作者: 筒井一生

Si基板上のフッ化物系共鳴トンネルダイオード

硅衬底上的氟化物谐振隧道二极管

• 发表时间: 2009
• 作者: 筒井一生

Growth of Ultra Thin Fluoride Heterostructures on Ge(111) for Quantum Devices

用于量子器件的 Ge(111) 上超薄氟化物异质结构的生长

• 发表时间: 2009
• 作者: Takao Oshita; Keita Takahashi; Kazuo Tsutsui
• 通讯作者: Kazuo Tsutsui