三元系酸化物群の基礎物性の解明
三元氧化物基本物理性质的阐明
基本信息
- 批准号:14J00763
- 负责人:
- 金额:$ 1.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2014
- 资助国家:日本
- 起止时间:2014-04-25 至 2016-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
前年度に引き続き、β-NaFeO2型酸化物の電子構造を第一原理計算によって解析し、結晶構造が電子構造に与える影響を検討した。Cu+やAg+などのd10電子配置のイオンを含むβ-NaFeO2型酸化物の電子構造においては、Cu+やAg+の周囲の局所構造や、最近接原子間距離(Cu-Cu、Ag-Ag距離)が、価電子帯の分散を決定する因子であることを明らかにした。これらの成果は、論文二報として発表予定である。また、β-CuGaO2薄膜の前駆体となるβ-NaGaO2薄膜を、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法によって作製し、各種成膜パラメータが得られる薄膜の組成や結晶性、配向性にどのような影響を与えるかを検討した。成膜するサファイア基板の配向面によって、種々の配向性をもつβ-NaGaO2薄膜が得られることが明らかとなった。また、スパッタリングや電子ビームによる成膜では、時間経過によってターゲットの組成が変化してしまうため、化学量論組成のβ-NaGaO2薄膜を得るためには、ターゲットの組成が変化しづらい成膜方法を検討する必要がある。
继去年之后,我们利用第一性原理计算分析了β-NaFeO2型氧化物的电子结构,并研究了晶体结构对电子结构的影响。在含有Cu+和Ag+等具有d10电子构型的离子的β-NaFeO2型氧化物的电子结构中,揭示了Cu+和Ag+周围的局域结构以及最近原子之间的距离(Cu-Cu、Ag-Ag距离)这是决定价带色散的因素。这些结果计划作为第二篇论文发表。此外,我们通过溅射和电子束蒸发制备了β-NaGaO2薄膜,这是β-CuGaO2薄膜的前驱体,并研究了各种成膜参数对所得薄膜的成分、结晶度和取向的影响。我考虑过是否要给它。已经清楚的是,根据沉积薄膜的蓝宝石衬底的取向,可以获得具有各种取向的β-NaGaO2薄膜。另外,在使用溅射或电子束的成膜中,靶材的组成随时间变化,因此为了获得化学计量组成的β-NaGaO2薄膜,需要使用不容易发生变化的成膜方法。需要考虑改变目标的组成。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Structure of β-AgGaO2; ternary I-III-VI2 oxide semiconductor with a wurtzite-derived structure
具有纤锌矿结构的三元 I-III-VI2 氧化物半导体的结构;
- DOI:10.1016/j.jssc.2014.11.012
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:3.3
- 作者:Hiraku Nagatani;Issei Suzuki;Masao Kita;MasahikoTanaka;Yoshio Katsuya;Osami Sakata;Takahisa Omata
- 通讯作者:Takahisa Omata
First Principle Calculations of Electronic Band Structures of Wurtzite β-CuGaO2 and β-AgGaO2
纤锌矿β-CuGaO2和β-AgGaO2电子能带结构的第一性原理计算
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:I. Suzuki;H. Nagatani;M. Kita;Y. Iguchi;C. Sato;H. Yanagi;N. Ohashi and T. Omata.
- 通讯作者:N. Ohashi and T. Omata.
A New Direct and Narrow Band Gap Oxide Semiconductor; Wurtzite CuGaO2
一种新型直接窄带隙氧化物半导体;
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:I. Suzuki;H. Nagatani;M. Kita;Y. Iguchi;C. Sato;H. Yanagi;N. Ohashi and T. Omata.;The Eighth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC8)
- 通讯作者:The Eighth International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC8)
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