Low temperature synthesis of a Mg2Si thin film with help of plasma

等离子体辅助低温合成 Mg2Si 薄膜

• 批准号: 25400530
• 负责人: IKEHATA TAKASHI
• 金额: $ 3.24万
• 依托单位: Ibaraki University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25400530/
• 关键词: マグネシウムシリサイド; 熱電半導体; 薄膜; 固相合成; 熱処理; スパッタリング; 結晶構造; 高周波プラズマ; 水素還元; 希ガス雰囲気中アニール処理; 近赤外分光透過率; ラマンスペクトル

项目成果

サファイア基板上Mg/Si共堆積膜のポストアニールによるMg2Si膜固相合成

蓝宝石衬底上Mg/Si共沉积膜后退火固相合成Mg2Si薄膜

• 发表时间: 2014
• 作者: 高木雄太;張月;國武和広;佐藤直幸;池畑隆;鵜殿治彦
• 通讯作者: 鵜殿治彦

サファイア基板へのマグネシウムシリサイド薄膜固相合成

蓝宝石衬底上硅化镁薄膜的固相合成

• 发表时间: 2015
• 作者: 武和広;高木雄太;張 月;西城 要;石村洋彦;佐藤直幸;池畑 隆;鵜殿治彦
• 通讯作者: 鵜殿治彦

熱電半導体Mg2Si膜の固相合成と微細構造解析

热电半导体Mg2Si薄膜的固相合成及微观结构分析

• 发表时间: 2013
• 作者: 山本拓哉;高木雄太;張月;國武和広;佐藤直幸;鵜殿治彦;池畑隆
• 通讯作者: 池畑隆

減圧雰囲気におけるイオナイザ除電器の挙動

离子发生器静电消除器在减压气氛中的行为

• 发表时间: 2015
• 作者: 池畑隆;根本大輔;賀婉テイ;松尾武;佐藤直幸;岡野一雄
• 通讯作者: 岡野一雄

サファイア基板上におけるマグネシウムシリサイド薄膜固相合成

蓝宝石衬底上硅化镁薄膜的固相合成

• 发表时间: 2015
• 作者: 國武和広;西城要;笹島良太;河原航;池畑隆;佐藤直幸;鵜殿治彦
• 通讯作者: 鵜殿治彦