Elucidation of thermoelectric properties and performance improvement of nitride semiconductors for utilization of waste heat from semiconductor devices
阐明氮化物半导体的热电特性和性能改进，以利用半导体器件的废热
基本信息
- 批准号：23H01454
- 负责人：
- 金额：$ 12.23万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
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会议论文数量（0）
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出浦 桃子其他文献
表面平坦化処理を施したAlN上へのNbNエピタキシャル成長
经过表面平坦化处理的 NbN 在 AlN 上外延生长
- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
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坩堝内成長で得られる太陽電池用Si結晶中の粒界が応力集中に与える影響
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- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
杉岡 翔太;沓掛 健太朗;出浦 桃子;大野 裕;米永 一郎 - 通讯作者：
米永 一郎
太陽電池用モノライクSi成長中の結晶方位と応力の関係
太阳能电池单晶硅生长过程中晶体取向与应力的关系
- DOI：
- 发表时间：
2015 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
杉岡 翔太;沓掛 健太朗;出浦 桃子;大野 裕;米永 一郎 - 通讯作者：
米永 一郎
微小領域選択成長によるSi上III/V化合物半導体層の形成
微区选择性生长在Si上形成III/V族化合物半导体层
- DOI：
- 发表时间：
2008 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
出浦 桃子;杉山 正和;星井 拓也;中根 了昌;竹中 充;菅原 聡;高木 信一;中野 義昭 - 通讯作者：
中野 義昭
シリコン結晶でどこまで行けるのか？可能性と課題
硅晶体我们能走多远？
- DOI：
- 发表时间：
2016 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
杉岡 翔太;沓掛 健太朗;出浦 桃子;大野 裕;米永 一郎;Takashi Taniguchi;小林真一;沓掛健太朗 - 通讯作者：
沓掛健太朗
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{{ truncateString('出浦 桃子', 18)}}的其他基金
半導体デバイス排熱の有効利用に向けた窒化物半導体の熱電特性解明と性能向上
阐明氮化物半导体的热电特性和性能改进，以有效利用半导体器件废热
- 批准号：
23K26148 - 财政年份：2024
- 资助金额：
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化合物半導体の結晶成長における表面吸着層モデルの構築とヘテロ構造界面急峻化の実現
化合物半导体晶体生长表面吸附层模型的构建及陡峭异质结构界面的实现
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Grant-in-Aid for JSPS Fellows
相似国自然基金
层状钴基氧化物热电材料的组织取向度与其性能关联规律研究
- 批准号：50702003
- 批准年份：2007
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- 项目类别：青年科学基金项目
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开发具有相同基体或晶体结构的 p 型和 n 型热电性能的氧化物热电材料
- 批准号：
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- 资助金额：
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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
強磁性体のスピン揺らぎによる熱電特性増大の機構解明に関する研究
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23K23029 - 财政年份：2024
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$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
強相関電子系における異常熱電特性の起源解明と制御指針の構築
阐明强相关电子系统中异常热电性质的起源并建立控制指南
- 批准号：
23K23051 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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实验阐明局部热流分布和材料特性对宏观热电性能的贡献
- 批准号：
23K26547 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
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特異な構造をもつ電気伝導性酸化物の固体化学的伝導性制御と新規熱電変換材料の開発
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- 批准号：
24K08034 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 12.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)