Understanding of growth mechanism of cobalt silicide thin films bysputtering method and its application for electron devices.

溅射法硅化钴薄膜生长机理的理解及其在电子器件中的应用。

• 批准号: 19560764
• 负责人: TSUJI Yoshiko
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560764/
• 关键词: コバルトシリサイド; スパッタ; 結晶成長; 核発生と成長; 配向; 界面ラフネス; 半導体デバイス

MOSFET-LSI の電極・配線材料として広く使用されているシリサイド薄膜において、トランジスタ特性のばらつきの原因となるシリサイド/絶縁膜界面ラフネスのないCoSi_2 膜(膜厚30nm)を低温(<500℃)で形成させた。ここではCo とSi の同時成膜によるCoSi_2 多結晶膜形成を試み、結晶成長の立場から膜構造形成メカニズムを理解した。また、CoSi_2電極の電気的機能評価を行い、プロセス-構造-機能の関係を明らかにした。

CoSi_2 薄膜（30 nm 厚）在低温（<500°C）下形成，没有硅化物/绝缘膜界面粗糙度，该粗糙度会导致广泛用作 MOSFET-LSI 电极和布线材料的硅化物薄膜中晶体管特性的变化我让它发生了。在此，我们尝试通过同时沉积Co和Si来形成CoSi_2多晶膜，并从晶体生长的角度理解膜结构形成机制。我们还评估了CoSi_2电极的电学功能并阐明了工艺-结构-功能关系。

项目成果

Mechanism of CoSi2/Si epitaxy and fabrication process of double heteroepitaxial Si/CoSi2/Si

CoSi2/Si外延机理及双异质外延Si/CoSi2/Si制备工艺

• 发表时间: 2008
• 作者: Y. Tsuji; M. Mizukami;S. Noda
• 通讯作者: S. Noda

電子デバイス用コバルトシリサイド薄膜の結晶成長の理解と制御

了解和控制电子器件用硅化钴薄膜的晶体生长

• 发表时间: 2008
• 作者: 辻由樹絵;辻佳子;野田優;山口由岐夫
• 通讯作者: 山口由岐夫

Mechanism of CoSi_2/Si epitaxy andfabrication process of double heteroepitaxial Si/CoSi_2/Si

CoSi_2/Si外延机理及双异质外延Si/CoSi_2/Si制备工艺

• 发表时间: 2008
• 作者: Y. Tsuji; M. Mizukami;S. Noda
• 通讯作者: S. Noda