Fabrication of novel quantum/classical devices based on excitons

基于激子的新型量子/经典器件的制造

基本信息

  • 批准号:
    19K21978
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 4.08万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-06-28 至 2021-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(45)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Sputter deposition of low resistive amorphous In2O3:Sn films using nitrogen mediate amorphization method: Effects of nitrogen flow rate
采用氮介导非晶化方法溅射沉积低阻非晶 In2O3:Sn 薄膜:氮气流量的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Mido; S. Urakawa; D. Yamashita; T. Okumura; K. Kamataki; K. Koga; M. Shiratani; N. Itagaki
  • 通讯作者:
    N. Itagaki
Sputter epitaxy through “inverse” SK mode for a new class of excitonic devices
通过“逆”SK 模式进行溅射外延,用于新型激子器件
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Naho Itagaki
  • 通讯作者:
    Naho Itagaki
Sputtering Deposition with Impurities: Another Key Parameter to Control Film Structures
杂质溅射沉积:控制薄膜结构的另一个关键参数
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    N. Itagaki; K. Kamataki; K. Koga; M. Shiratani
  • 通讯作者:
    M. Shiratani
Surface morphology of single-crystal ZnO films on sapphire substrates fabricated by sputter epitaxy *Yuta Nakamura, Soichiro Muraoka, Kunihiro K
溅射外延法在蓝宝石衬底上制备单晶 ZnO 薄膜的表面形貌 *Yuta Nakamura、Soichiro Muraoka、Kunihiro K
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Nakamura; S. Muraoka; K. Kamataki; K. Koga; M. Shiratani; N. Itagaki
  • 通讯作者:
    N. Itagaki
Low-stress diamond-like carbon films containing carbon nanoparticles fabricated by combining rf sputtering and plasma chemical vapor deposition
射频溅射与等离子体化学气相沉积相结合制备含有碳纳米粒子的低应力类金刚石碳薄膜
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/abbb20
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Hwang Sung;Okumura Takamasa;Kamataki Kunihiro;Itagaki Naho;Koga Kazunori;Nakatani Tatsuyuki;Shiratani Masaharu
  • 通讯作者:
    Shiratani Masaharu
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Itagaki Naho其他文献

Performance comparison of nitrile-based liquid electrolytes on bifacial dye-sensitized solar cells under low-concentrated light
低聚光下腈基液体电解质在双面染料敏化太阳能电池上的性能比较
  • DOI:
    10.1557/s43580-022-00270-x
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0.8
  • 作者:
    Putri Tika E.;Chawarambwa Fadzai L.;Attri Pankaj;Kamataki Kunihiro;Itagaki Naho;Koga Kazunori;Shiratani Masaharu
  • 通讯作者:
    Shiratani Masaharu
Treatment of organic wastewater by a combination of non-thermal plasma and catalyst: a review
低温等离子体和催化剂组合处理有机废水:综述
  • DOI:
    10.1007/s41614-022-00077-1
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Attri Pankaj;Koga Kazunori;Okumura Takamasa;Chawarambwa Fadzai L.;Putri Tika E.;Tsukada Yuichi;Kamataki Kunihiro;Itagaki Naho;Shiratani Masaharu
  • 通讯作者:
    Shiratani Masaharu
Effects of concentrated light on the performance and stability of a quasi-solid electrolyte in dye-sensitized solar cells
聚光对染料敏化太阳能电池准固体电解质性能和稳定性的影响
  • DOI:
    10.1016/j.cplett.2021.138986
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.8
  • 作者:
    Chawarambwa Fadzai Lesley;Putri Tika Erna;Attri Pankaj;Kamataki Kunihiro;Itagaki Naho;Koga Kazunori;Shiratani Masaharu
  • 通讯作者:
    Shiratani Masaharu
Time of Flight Size Control of Carbon Nanoparticles Using Ar+CH4 Multi-Hollow Discharge Plasma Chemical Vapor Deposition Method
Ar CH4 多空心放电等离子体化学气相沉积法控制碳纳米粒子的飞行时间尺寸
  • DOI:
    10.3390/pr9010002
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.5
  • 作者:
    Hwang Sung Hwa;Koga Kazunori;Hao Yuan;Attri Pankaj;Okumura Takamasa;Kamataki Kunihiro;Itagaki Naho;Shiratani Masaharu;Oh Jun;Takabayashi Susumu;Nakatani Tatsuyuki
  • 通讯作者:
    Nakatani Tatsuyuki
Growth of single crystalline films on lattice-mismatched substrates through 3D to 2D mode transition
通过 3D 到 2D 模式转变在晶格失配基底上生长单晶薄膜
  • DOI:
    10.1038/s41598-020-61596-w
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.6
  • 作者:
    Itagaki Naho;Nakamura Yuta;Narishige Ryota;Takeda Keigo;Kamataki Kunihiro;Koga Kazunori;Hori Masaru;Shiratani Masaharu
  • 通讯作者:
    Shiratani Masaharu

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Sputter Epitaxy of high-quality oxynitride semiconductors for optical switching devices
用于光开关器件的高质量氮氧化物半导体的溅射外延
  • 批准号:
    15H05431
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)

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量子情報を記憶する「明るい」長寿命励起子の創製
创建存储量子信息的“明亮”长寿命激子
  • 批准号:
    21K18731
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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  • 批准号:
    21H01372
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of composite thin films exhibiting quantum confinement effects prepared by one-step synthesis method and their photovoltaic characteristic
一步合成法制备的具有量子限域效应的复合薄膜及其光伏特性的研究
  • 批准号:
    24360295
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of solar cells with high stability at elevated temperatures
开发高温下具有高稳定性的太阳能电池
  • 批准号:
    23360163
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Fabrication of piezoelectric-field enhanced excitonic devices operating at room-temperature with the use of oxynitride superlattices
使用氮氧化物超晶格制造在室温下工作的压电场增强激子器件
  • 批准号:
    23760285
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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