Preparation of nanoparticle magnetic recording media by gas flow sputtering

气流溅射制备纳米颗粒磁记录介质

基本信息

  • 批准号:
    19560333
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2007
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2007 至 2008
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究では、宇都宮大学独自のガスフロースパッタ法を用いることにより、次世代の超高密度ハードディスク磁気記録媒体の実現を目指して、ナノ磁性粒子(次世代では太さが10nm、次次世代では5nm程度の縦長粒子または球形粒子)を敷き詰めた構造のナノ粒子薄膜の開発を目指した。その結果、幅約10 nmの柱状の粒子からなるCo-Ptナノ粒子構造薄膜作製に成功した。さらに、より大きな結晶磁気異方性を有するL10構造FePtについて同様な粒子構造を実現することを目指した。通常のスパッタ法では基板を加熱しないとL10構造の薄膜は得られないが、ガスロースパッタ法では基板加熱のない状態においても、規則度は低いがL10構造に規則化した薄膜が成長することを見出し、ナノ粒子構造の形成の可能性を明らかにした。
在这项研究中,我们的目标是利用宇都宫大学独特的气流溅射方法来实现下一代超高密度硬盘磁记录介质,其目的是开发一种具有覆盖有多个垂直细长或球形结构的纳米粒子薄膜。颗粒。结果,我们成功地制造了由宽度约为10 nm的柱状颗粒组成的Co-Pt纳米颗粒结构的薄膜。此外,我们的目标是实现具有更大磁晶各向异性的 L10 结构 FePt 的类似晶粒结构。使用普通溅射,不加热衬底就无法获得具有L10结构的薄膜,但是使用气体慢速溅射,即使有序度较低,即使不加热衬底也可以生长具有有序L10结构的薄膜. 标题,揭示了形成纳米颗粒结构的可能性。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Preparation of Fe-N Nanoparticles by Gas Flow Sputtering
气流溅射法制备Fe-N纳米颗粒
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Aoshima; H. Sakuma; K. Ishii
  • 通讯作者:
    K. Ishii
Estimation of optimum ion energy for the reduction of resistivity in bias sputterin of ITO thin films
ITO薄膜偏压溅射中降低电阻率的最佳离子能量的估计
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kiyoshi Ishii 他
  • 通讯作者:
    Kiyoshi Ishii 他
スパッタ実務Q&A集 (金原粲, 小島啓安, 菊池直人, 中野武雄, 岡田修監修)
Sputter实用问答集(监修:Kei Kanehara、Keiyasu Kojima、Naoto Kikuchi、Takeo Nakano、Osamu Okada)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    石井清; 佐久間洋志
  • 通讯作者:
    佐久間洋志
Estimation of optimum ion energy for the reduction of resistivity in bias sputtering of ITO thin films
ITO 薄膜偏压溅射中降低电阻率的最佳离子能量估算
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Ishii; Y. Saitou; K. Furutani; H. Sakuma; Y. Ikeda
  • 通讯作者:
    Y. Ikeda
Epitaxial Growth of Fe_3O_4 on GaAs by Gas Flow Sputtering
气流溅射在GaAs上外延生长Fe_3O_4
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Sakuma; S. Hiyama; T. Kashiwakura; K. Ishii
  • 通讯作者:
    K. Ishii
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