Elucidation of the symmetry of superconducting gap of topological superconductor CuxBi2Se3 and other novel materials

阐明拓扑超导体CuxBi2Se3等新型材料超导能隙的对称性

基本信息

批准号：
24740237
负责人：
SASAKI Satoshi
金额：
$ 2.83万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
起止时间：
2012-04-01 至 2014-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

Two new superconductors with time-reversal invariance similar to a superconducting topological insulator CuxBi2Se3 have been discovered: one of them is a superconducting In-doped topological crystalline insulator Sn1-xInxTe; the other is a superconductor Cux(PbSe)5(Bi2Se3)6 synthesized by intercalating Cu into a topological insulator heterostructure consisting of Bi2Se3 (topological insulator) and PbSe (ordinary insulator). The point-contact spectroscopy and specific heat measurements allowed us to elucidate the symmetry of the superconducting gaps in these materials. Based on the revealed properties we proposed Sn1-xInxTe and Cux(PbSe)5(Bi2Se3)6 as candidate materials that can build a platform for the study of topological superconductivity, contributing to the development of the relevant field.

发现了两种具有类似于超导拓扑绝缘体CuxBi2Se3的时间反转不变性的新型超导体：其中一种是超导In掺杂拓扑晶体绝缘体Sn1-xInxTe；另一种是通过将Cu嵌入由Bi2Se3（拓扑绝缘体）和PbSe（普通绝缘体）组成的拓扑绝缘体异质结构中合成的超导体Cux（PbSe）5（Bi2Se3）6。点接触光谱和比热测量使我们能够阐明这些材料中超导间隙的对称性。基于所揭示的性质，我们提出Sn1-xInxTe和Cux(PbSe)5(Bi2Se3)6作为候选材料，可以为拓扑超导的研究搭建平台，为相关领域的发展做出贡献。

项目成果

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专利数量（0）

Topological surface transport in epitaxial SnTe thin films grown on Bi2Te3

DOI：
10.1103/physrevb.89.121302
发表时间：
2014-03-17
期刊：
PHYSICAL REVIEW B
影响因子：
3.7
作者：
Taskin, A. A.;Yang, Fan;Ando, Yoichi
通讯作者：
Ando, Yoichi

ドープされたトポロジカル結晶絶縁体 Sn1-xInxTeの超伝導特性

掺杂拓扑晶体绝缘体Sn1-xInxTe的超导性能

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Novak;Satoshi Sasaki;M. Kriener;K. Segawa;Y. Ando;佐々木　聡;佐々木聡;佐々木聡
通讯作者：
佐々木聡

Conductance Spectroscopy on Superconducting Topological Insulator Families

超导拓扑绝缘体族的电导谱

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Sasaki;A. A. Taskin;K. Segawa;Y. Ando
通讯作者：
Y. Ando

Superconducting doped topological insulators

超导掺杂拓扑绝缘体

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
A. A. Taskin;S. Sasaki;K. Segawa;Y. Ando;Satoshi Sasaki
通讯作者：
Satoshi Sasaki

超伝導トポロジカル絶縁体のバルクトポロジカル超伝導性、新学術領域研究・対称性の破れた凝縮系におけるトポロジカル量子現象

超导拓扑绝缘体的体拓扑超导、新学术领域研究、对称破缺凝聚体系中的拓扑量子现象

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
佐々木聡;M. Novak;M. Kriener,瀬川耕司,安藤陽一
通讯作者：
M. Kriener,瀬川耕司,安藤陽一

DOI：
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通讯作者：
UNO Shotaro

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影响因子：
0.2
作者：
YOSHIMURA Yoshitaka;ENYA Keigo;KOBAYASHI Kensei;SASAKI Satoshi;YAMAGISHI Akihiko
通讯作者：
YAMAGISHI Akihiko