Control of Deep Ultra-violet Emission and Modulation Epitaxy of Nitride Semicondusturs.

氮化物半导体深紫外发射和调制外延的控制。

• 批准号: 24560010
• 负责人: MIYAKE Hideto
• 金额: $ 3.49万
• 依托单位: Mie University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24560010/
• 关键词: 窒化物半導体; GaN; AlN; 電子線励起; 紫外光源; 組成変調; MOVPE; 窒化アルミニウム; AlGaN; 多重量子井戸; 深紫外光源

项目成果

Impacts of Si-doping and resultant cation vacancy formation on the luminescence dynamics for the near-band-edge emission of Al0.6Ga0.4N films grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy

• DOI: 10.1063/1.4807906
• 发表时间: 2013-06-07
• 期刊: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
• 影响因子: 3.2
• 作者: Chichibu, S. F.;Miyake, H.;Uedono, A.
• 通讯作者: Uedono, A.

Effects of thermal cleaning on surface of free-standing GaN substrates

热清洗对自支撑 GaN 衬底表面的影响

• 发表时间: 2014
• 作者: Shunsuke Okada;Hideto Miyake;Kazumasa HIramatsu,
• 通讯作者: Kazumasa HIramatsu,

Study on AlN growth conditions for hydride vapor phase epitaxy

氢化物气相外延AlN生长条件研究

• 发表时间: 2014
• 作者: Daiki YASUI;Hideto MIYAKE; Kazumasa HIRAMATSU
• 通讯作者: Kazumasa HIRAMATSU

Effects of Si doping in high-quality AlN grown by MOVPE on trench-patterned template

MOVPE 沟槽模板生长高质量 AlN 中 Si 掺杂的影响

• 发表时间: 2012
• 期刊: Journal of Crystal Growth
• 影响因子: 1.8
• 作者: G. Nishio;S. Yang;H. Miyake and K. Hiramatsu
• 通讯作者: H. Miyake and K. Hiramatsu

Fabrication of AlGaN multiple quantum wells on sapphire with lattice-relaxation layer

具有晶格弛豫层的蓝宝石上 AlGaN 多量子阱的制备

• 发表时间: 2014
• 作者: Kazuhiro Nakahama;Fumitsugu Fukuyo;Hideto Miyake;Kazumasa Hiramatsu;Harumasa Yoshida;Yuji Kobayashi
• 通讯作者: Yuji Kobayashi