High growth-rate hydride-vapor-phase of aluminum nitride

氮化铝的高生长速率氢化物气相

• 批准号: 21560014
• 负责人: MIYAKE Hideto
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: Mie University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21560014/
• 关键词: 窒化物半導体; 窒化アルミニウム; AlN; ハイドライド気相成長法; HVPE; 選択横方向成長; 加工基板; エッチピット; AIN; 貫通転位; EPD法; ファセット制御; 紫外線発光; ハイドライド気相エピタキシャル成長; 触媒作用; 横方向成長; ELO

AlN is an attractive substrate for short-wavelength optoelectronics devices based on AlGaN. For growth of AlN and AlGaN, lateral overgrowth using a patterned substrate is useful for control of dislocation penetration, because selective-area growth with masks, such as SiO2, cannot be applied. In this study, thick AlN films were grown by HVPE on AlN/sapphire stripe patterned seeds with triangular shape in cross section, and the TDs density on the surface of HVPE-grown films was reduced one order of magnitude from a AlN film without pattern seeds. We also have investigated threading dislocations(TDs) in epitaxial AlN films by etch-pit method. Epitaxial AlN films were etched by mixed acid solution(KOH+ NaOH). The etch-pits were classified into TD groups by those sizes.

对于基于 AlGaN 的短波长光电子器件来说，AlN 是一种极具吸引力的衬底。对于 AlN 和 AlGaN 的生长，使用图案化衬底的横向过度生长对于控制位错穿透非常有用，因为无法应用使用 SiO2 等掩模的选择性区域生长。在这项研究中，通过HVPE在横截面为三角形的AlN/蓝宝石条纹图案种子上生长厚的AlN薄膜，HVPE生长的薄膜表面的TD密度比没有图案种子的AlN薄膜降低了一个数量级。我们还通过蚀刻坑方法研究了外延 AlN 薄膜中的螺纹位错（TD）。采用混合酸溶液(KOH+NaOH)刻蚀外延AlN薄膜。蚀刻坑按这些尺寸分为TD组。

项目成果

SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長

以 SiC 为衬底，采用低压 HVPE 法生长 AlN

• 发表时间: 2010
• 作者: 奥村建太;野村拓也;三宅秀人;平松和政;江龍修
• 通讯作者: 江龍修

Growth of high quality c-plane AlN on a-plane sapphire

在 a 面蓝宝石上生长高质量 c 面 AlN

• 发表时间: 2010
• 期刊: Material Research Society Symposium Proceedings
• 作者: R. Miyagawa;J. Wu;H. Miyake and K. Hiramatsu
• 通讯作者: H. Miyake and K. Hiramatsu

Fabrication of ultraviolet-C light source using MOVPE grown AlGaN layer on AlN/sapphire

使用 AlN/蓝宝石上 MOVPE 生长的 AlGaN 层制造紫外 C 光源

• 发表时间: 2010
• 作者: M.Yoshihara;T.Isono;H.Komurasaki;T.Ogino;Hideto Miyake
• 通讯作者: Hideto Miyake

Deep-ultraviolet luminescence from Si-doped AlGaN grown by low-pressure MOVPE

低压 MOVPE 生长的硅掺杂 AlGaN 的深紫外发光

• 发表时间: 2010
• 作者: Y.Shimahara;H.Taketomi;H.Miyake;K.Hiramatsu;F.Fukuyo;T.Okada;H.Takaoka;H.Yoshida
• 通讯作者: H.Yoshida

Study on interface for AlN growth on sapphire substrate

蓝宝石衬底上AlN生长界面研究

• 发表时间: 2011
• 作者: R.Miyagawa;S.Yang;H.Miyake;K.Hiramatsu
• 通讯作者: K.Hiramatsu