Establishment of basic techniques about gallium oxide related semiconductor films

氧化镓相关半导体薄膜基础技术的确立

基本信息

批准号：
23760009
负责人：
OSHIMA Takayoshi
金额：
$ 2.83万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
起止时间：
2011 至 2012
项目状态：
已结题

项目摘要

Ga2O3 related materials, which are relatively novel wide-band-gap semiconductors, were studied in this research. Especially, we focused on the most stable ・-phase. As for electrical application, we have succeeded control of conductivity and band-gap engineering. Photocatalytic activities of Ga2O3 were also investigated in detail for optical application. We also demonstrated epitaxial stabilization of meta-stable phases of ・and ・. Furthermore, we have achieved ZnGa2O4 single crystalline film with a single domain and characterized its physical properties.

Ga2O3相关材料是相对新颖的宽带隙半导体，本研究特别关注最稳定的·相，在电学应用方面，我们成功地控制了电导率和带隙工程。我们还详细研究了 Ga2O3 的光催化活性，以用于光学应用。此外，我们还实现了 ZnGa2O4 单晶薄膜。域并表征其物理特性。

项目成果

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Epitaxial growth of γ-Ga2O3 films by mist chemical vapor deposition

DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2012.08.025
发表时间：
2012-11-15
期刊：
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
影响因子：
1.8
作者：
Oshima, Takayoshi;Nakazono, Taishi;Ohtomo, Akira
通讯作者：
Ohtomo, Akira

Cathodoluminescence properties of β-Al2xGa2-2xO3 film

β-Al2xGa2-2xO3薄膜的阴极发光特性

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
Akira Baba;Nobutaka Aoki;Dai Murashima;Kazunari Shinbo;Keizo Kato,Futao Kaneko;Akira Mukai
通讯作者：
Akira Mukai

熱酸化によるβ-Ga_2O_3単結晶表面の半絶縁層形成

热氧化在β-Ga_2O_3单晶表面形成半绝缘层

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
大島孝仁;他8名
通讯作者：
他8名

Epitaxial structures of band-gap-engineered α-(CrxFe1-x)2O3(0 ≤x≤1) films grown on c-plane sapphire

c面蓝宝石上生长的带隙工程α-(CrxFe1-x)2O3(0≤x≤1)薄膜的外延结构

DOI：
10.1143/jjap.51.11pg11
发表时间：
2012
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Akira Baba;Kohji Tada;Rapiphun Janmanee;Kazunari Shinbo;Keizo Kato;Futao Kaneko;Saengrawee Sriwichai;Hisanori Mashiko
通讯作者：
Hisanori Mashiko

ダブルペロブスカイト型Sr2TiRuO6の薄膜成長と物性

双钙钛矿Sr2TiRuO6薄膜生长及物理性能