Iron disilicide photochemical diode with Au-promoter

带 Au 促进剂的二硅化铁光化学二极管

• 批准号: 23560018
• 负责人: AKIYAMA Kensuke
• 金额: $ 3.33万
• 依托单位: Kanagawa Industrial Technology Center
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560018/
• 关键词: 鉄シリサイド; 光化学ダイオード; 可視光; 光触媒; 助触媒

Semiconducting iron disilicide (beta-FeSi2) has been attracting a great deal of attention as a photo-detector and Si-based light emitter operating at wavelengths suitable for optical fiber communications. This is because beta-FeSi2 has a band gap less than 0.80 eV and a very large optical absorption coefficient over 1E+5 /cm at 1 eV. Moreover, this semiconducting material is composed of the elements that are naturally abundant and less toxic than the elements used in conventional compound semiconductors.In this report, we report on the novel fabrication method of beta-FeSi2 photochemical diode with Au electrode on the surface of Si powder by using metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) method which is general in semiconductor process technology. Moreover, we repot on the hydrogen evolution over this photochemical diode under irradiation of not only UV but also visible light from formaldehyde aqueous solution.

半导体二硅化铁（β-FeSi2）作为光电探测器和硅基光发射器，在适合光纤通信的波长下工作，引起了广泛的关注。这是因为β-FeSi2 的带隙小于0.80 eV，并且在1 eV 时具有超过1E+5 /cm 的非常大的光学吸收系数。此外，这种半导体材料由天然丰富的元素组成，并且比传统化合物半导体中使用的元素毒性更低。在本报告中，我们报道了表面带有金电极的β-FeSi2光化学二极管的新型制造方法。采用半导体工艺技术中通用的金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法制备硅粉。此外，我们报告了这种光化学二极管在紫外线和甲醛水溶液的可见光照射下的析氢情况。

项目成果

Microstructure analysis of β-FeSi2 grown on Ag-coated Si(001) substrate

Ag涂层Si(001)衬底上生长的β-FeSi2的微观结构分析

• DOI: 10.1002/pssc.201300359
• 发表时间: 2013
• 期刊: Physica status solidi (c)
• 作者: S. Motomura;G. Hayashi;M. Itakura and K. Akiyama
• 通讯作者: M. Itakura and K. Akiyama

Electrical property of (110)-oriented non-doped Mg_2Si films with p-type conduction prepared by RF-magnetron sputtering method

射频磁控溅射法制备(110)取向p型导电非掺杂Mg_2Si薄膜的电学性能

• 发表时间: 2014
• 期刊: Journal of Electronic Materials
• 影响因子: 2.1
• 作者: S. Ogawa;A. Katagiri;M. Matsushima;K. Akiyama;Y. Kimura;H. Uchida and H. Funakubo
• 通讯作者: H. Uchida and H. Funakubo

スパッタリング法を用いたMg2Si薄膜の作製と構造評価

溅射法Mg2Si薄膜的制备及结构评价

• 发表时间: 2012
• 作者: Masahiro Watanabe;Mitsuru Kaga;Koji Yamashita;Tomoyuki Suzuki;Daichi Minamikawa;Yuka Kuwano;Tetsuya Takeuchi;Satoshi Kamiyama;Motoaki Iwaya;and Isamu Akasaki:;モハメッドシュルズミヤ,ヌルーハニスアズハン,沖村邦雄;片桐淳生，松島正明，秋山賢輔，舟窪浩
• 通讯作者: 片桐淳生，松島正明，秋山賢輔，舟窪浩

HRTEMを用いた3C-SiC/Si(001)界面における積層欠陥の解析

使用 HRTEM 分析 3C-SiC/Si(001) 界面的堆垛层错

Si粒子表面に形成したβ-FeSi_2の光触媒効果による水素生成

Si颗粒表面形成的β-FeSi_2光催化作用产氢