Study on high-performance current-injected semiconductor-based wavelength conversion devices

高性能电流注入半导体波长转换器件的研究

基本信息

批准号：
23360028
负责人：
KONDO Takashi
金额：
$ 13.15万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
起止时间：
2011-04-01 至 2014-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

We have investigated high-performance wavelength conversion devices fabricated using semiconductors exhibiting quadratic optical nonlinearities. We have optimized process conditions for fabricating low-loss periodically-inverted GaAs/AlGaAs waveguiding quasi-phase-matching (QPM) devices in order to achieve higher conversion efficiencies. The obtained lowest propagation loss was 1.3 dB/cm at the wavelength of 1.55 um. We have performed a numerical simulation on performances of current-injected AlGaAs QPM devices for the first time. We have revealed that practical current densities lead to net gains and thus extremely high conversion efficiencies. We fabricated a periodically-inverted GaAs pn-junction device for the first time, and evaluated its electrical and optical properties.

我们已经研究了使用表现出二次光学非线性的半导体制造的高性能波长转换设备。我们拥有优化的工艺条件，用于制造低损耗的定期插入GAAS/藻类波浪的准阶段匹配（QPM）设备，以达到较高的转换效率。在1.55 UM的波长下，获得的最低传播损失为1.3 dB/cm。我们首次对电流注射藻类QPM设备的性能进行了数值模拟。我们已经透露，实际当前密度会导致净增益，因此转化效率极高。我们首次制造了一个定期融合的GAAS PN连接装置，并评估了其电气和光学特性。

项目成果

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专利数量（0）

Influence of anisotropic diffusion of Ga and Al atoms during AlGaAs growth for periodically-inverted AlGaAs waveguides

AlGaAs 生长过程中 Ga 和 Al 原子各向异性扩散对周期性反转 AlGaAs 波导的影响

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
T.Matsushita;S.Yoshida;J.Ota;and T.Kondo
通讯作者：
and T.Kondo

擬似位相整合AlGaAs導波路におけるAl組成の2次元マッピング

准相位匹配 AlGaAs 波导中 Al 成分的二维映射

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
松下智紀;吉田成輝;太田順也;近藤高志
通讯作者：
近藤高志

周期空間反転GaAs/AlGaAs導波路における3.4 um帯差周波発生の変換効率の精密評価

周期性空间倒置GaAs/AlGaAs波导中3.4um带差频率产生转换效率的精确评估

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
吉田成輝;松下智紀;近藤高志
通讯作者：
近藤高志

Accurate measurement of quadratic nonlinear-optical coefficients of zinc oxide

氧化锌二次非线性光学系数的精确测量

DOI：
10.1364/josab.29.002392
发表时间：
2012
期刊：
J. Opt. Soc. Am. B
影响因子：
0
作者：
M.Abe;N.Awata;T.Matsushita;M.Hakamata;K.Ozawa;R.Murakami;I.Shoji;and T.Kondo
通讯作者：
and T.Kondo

As2を用いたMBE成長による周期空間反転GaAsの段差形成抑制

使用 As2 通过 MBE 生长抑制周期性空间反转 GaAs 中的台阶形成