Self-organic growth of electric ceramics thin films and reconfigurable rf device applications

电陶瓷薄膜的自有机生长及可重构射频器件应用

基本信息

  • 批准号:
    22760230
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.58万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2010
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2010 至 2011
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

The fabrication of ferroelectric nanocrystal and high quality thin films has been widely interesting because of new ferroelectric devices such as rf-reconfigurable devices. The fabrication of nanocrystal array, that is, position control of nanocrystal growth on atomically flat sapphire substrates was developed. In order to measure the electric and rf properties of nanocrystal and thin films, nano-sized pattering and analysis for the obtained materials were performed. The low voltage operation and new frequency conversion devices were successfully obtained.
由于新型铁电器件(例如射频可重构器件)的出现,铁电纳米晶体和高质量薄膜的制造引起了广泛的关注。开发了纳米晶体阵列的制造,即在原子级平坦的蓝宝石衬底上纳米晶体生长的位置控制。为了测量纳米晶体和薄膜的电学和射频性能,对所获得的材料进行了纳米尺寸图案化和分析。低压运行及新型变频装置成功获得。

项目成果

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专利数量(0)
Crystallization Using Biomineralized Nickel Nanodots of Amorphous Silicon Thick Films Deposited by Chemical Vapor Deposition, Sputtering and Electron Beam Evaporation
  • DOI:
    10.1143/jjap.51.03ca01
  • 发表时间:
    2012-03
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    T. Nishida;Kazushi Fuse;M. Furuta;Y. Ishikawa;Y. Uraoka
  • 通讯作者:
    T. Nishida;Kazushi Fuse;M. Furuta;Y. Ishikawa;Y. Uraoka
Thickness Dependence of Electrical Properties for High-k SrTa2O6 Thin Films Fabricated by Sol-Gel Method
溶胶-凝胶法制备高 k SrTa2O6 薄膜电性能的厚度依赖性
  • DOI:
    10.1143/jjap.50.03ca05
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Li Lu;T.Nishida
  • 通讯作者:
    T.Nishida
サファイア基板上のPbTiO3自己組織化ナノ結晶の放射光X線回折による評価
使用同步辐射 X 射线衍射评价蓝宝石衬底上的 PbTiO3 自组装纳米晶
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Dai Taguchi;Le Zhang;Jun Li;Martin Weis;Takaaki Manaka;Mitsumasa Iwamoto;西田貴司
  • 通讯作者:
    西田貴司
ホームページアドレス
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  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
溶液法で作製したIn_4ZnO_x/SrTa_2O_6薄膜トランジスタの特性
溶液法制备In_4ZnO_x/SrTa_2O_6薄膜晶体管的特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Li Lu;T.Nishida
  • 通讯作者:
    T.Nishida
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    $ 2.58万
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