Investigation of SiGe/Si hetero interface to provide a device for producing multi-valued signals using light-induced current modulation

研究 SiGe/Si 异质界面以提供使用光感应电流调制产生多值信号的装置

• 批准号: 22560339
• 负责人: FUJINAGA Kiyohisa
• 金额: $ 2.16万
• 依托单位: Hokkaido Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22560339/
• 关键词: シリコン・ゲルマニウム; SOI; 電界効果素子; バックゲート; 正孔電流; 実効移動度; 結晶成長; 先端機能デバイス; 半導体物性; 電子デバイス・機器; シミュレーション; SiGe量子井戸; 光誘起電流; 光誘起

A device for producing multi-valued signals using light-induced current modulation was investigated. The device structure consisted of a light-receiving part for generating holes by laser irradiation and a p-type MOSFET for detecting hole current. The light-receiving part was made by SiGe quantum wells on SOI substrate. The relationship between Si barrier layer thickness and quantum energy level was obtained by the computer simulation and the simulated data was applied to design the light-receiving part structure. The MOSFET with buried SiGe quantum well channel was formed by using the buried silicon oxide of SOI substrate as the gate oxide. The device characteristics of MOSFET showed that the device was useful as the MOSFET for detecting and amplifying hole current.

研究了一种用于使用光引起的电流调制的用于产生多值信号的设备。设备结构由光接收部分组成，用于通过激光照射产生孔和用于检测孔电流的P型MOSFET。光得多的部分是由SIGE量子井在SOI底物上制成的。通过计算机模拟获得了SI屏障层厚度和量子能级之间的关系，并将模拟数据应用于设计光接收部分结构。使用SOI底物的氧化氧化硅作为栅极氧化物，形成了带有埋入SIGE量子孔通道的MOSFET。 MOSFET的设备特性表明，该设备可作为用于检测和扩增孔电流的MOSFET。

项目成果

機械故障による生産遅延発生時における再スケジューリングの最適化

优化因机器故障导致生产延迟时的重新安排

• 发表时间: 2012
• 作者: Zhewang Ma;Chun-Ping Chen;and Tetsuo Anada;A.Enokihara;竹内光明;西本昌彦;蔵徹郎,藤永清久
• 通讯作者: 蔵徹郎,藤永清久

GAと再帰的伝搬法を用いたジョブショップスケジューリング

使用遗传算法和递归传播方法进行作业车间调度

• 发表时间: 2012
• 作者: T.Kawai;H.Taniguchi;I.Ohta and A.Enokihara;Mineo Kaneko;蔵徹郎,藤永清久
• 通讯作者: 蔵徹郎,藤永清久

ジョブショップスケジューリングにおけるGAと再帰的伝搬法の比較検討

遗传算法与递归传播法在车间调度中的比较研究

• 发表时间: 2012
• 作者: 木村徹;馬哲旺;陳春平;穴田哲夫;小林禧夫;蔵徹郎,藤永清久
• 通讯作者: 蔵徹郎,藤永清久

Practice of HDL Education Providing Students a Sense of Achievement

HDL教育实践让学生有成就感

• DOI: 10.4307/jsee.62.1_72
• 发表时间: 2014
• 期刊: Journal of JSEE
• 作者: 党羽;金子峰雄;古谷健悟;西本昌彦;藤永清久
• 通讯作者: 藤永清久

Effective hole mobility in SiGe buried-channel well MOSFETs on SOI by low-pressure CVD

通过低压 CVD 在 SOI 上的 SiGe 埋沟道 MOSFET 中实现有效空穴迁移率

• DOI: 10.1149/2.007309jss
• 发表时间: 2013
• 期刊: ECS. J. Solid State Sci. Technol.
• 作者: H. Ryuto;H. Mukai;M. Takeuchi;G. H. Takaoka;K. Fujinaga
• 通讯作者: K. Fujinaga