Study on Nanometer SOI Device Structure
纳米SOI器件结构研究
基本信息
- 批准号:16560305
- 负责人:
- 金额:$ 1.54万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2004
- 资助国家:日本
- 起止时间:2004 至 2006
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
The effective hole mobility of SiGe buried-channel MOSTFT on SOI depends on the SiGe channel structure as well as the crystalline quality. In this work, the two sorts of buried-channel structure that consisted of single quantum well (SQW) and triple quantum wells (TQW) were formed at 550℃ on SIMOX wafers by low-pressure CVD. The growth apparatus was built on the basis of ultra-clean technology. The Ge composition of the alloy was 0.2. The SiGe well width, Lz, was 13 nm for SQW and fixed at 3 nm for TQW. The Si barrier thickness, LB, was 2 and 8 nm for TQW. The MOSFETs with the 5.9 nm gate oxide were fabricated on the layers. The Effective hole mobility, μeff, versus effective electric field, Eeff, for the both device types were obtained at room temperature. The mobility of TQW devices was enhanced nearly by 60 %, compared with that for the SQW devices. The mobility enhancement might be due to the increase of the number of holes trapped in the SiGe quantum wells that had the high hole mobility. The best effective hole mobility was obtained for the triple quantum wells channel device with the 3-nm SiGe well width and 2-nm Si barrier thickness fabricated on 40-nm-thick SOI. It was concluded that the multiple quantum wells channel pMOSFETs on SOI enhanced the effective hole mobility and promoted the device performance.
sige埋入通道的有效孔迁移率在soi上大部分取决于sige通道结构以及晶体质量。在这项工作中,通过低压CVD在Simox Waver上形成了由单个量子井(SQW)和三重量子井(TQW)组成的两种掩埋通道结构。增长设备是基于超级清洁技术建立的。合金的GE组成为0.2。 SIGE井宽度LZ的SQW为13 nm,固定在TQW的3 nm处。 TQW的Si屏障厚度LB为2和8 nm。在层上制造了带有5.9 nm门氧化物的MOSFET。在室温下,有效的孔迁移率,μEFF与有效的电场,EEFF,两种设备类型。与SQW设备相比,TQW设备的移动性几乎增强了60%。迁移率的提高可能是由于被困在具有高孔迁移率的SIGE量子井中的孔数量增加所致。对于在40 nm厚的SOI上制造的3 nm SIGE井宽度和2 nm Si屏障厚度,获得了三重量子井通道设备的最佳有效孔迁移率。结论是,SOI上的多个量子井通道PMOSFET增强了有效的孔迁移率并促进了设备性能。
项目成果
期刊论文数量(19)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Electrical Investigation of Si/SiGe layers grown on a nanometer-thick SOI by CVD
通过 CVD 在纳米厚 SOI 上生长的 Si/SiGe 层的电学研究
- DOI:
- 发表时间:2004
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T.Tanaka;M.Akazawa;E.Sano;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga
- 通讯作者:K.Fujinaga
Buried - channel field effect transistors of triple SiGe quantum wells on SOI
SOI上三SiGe量子阱埋沟道场效应晶体管
- DOI:
- 发表时间:2006
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T.Tanaka;M.Akazawa;E.Sano;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga
- 通讯作者:K.Fujinaga
A check system of process machine schedules by mobile agents
移动代理流程机器调度检查系统
- DOI:
- 发表时间:2004
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T.Tanaka;M.Akazawa;E.Sano;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga
- 通讯作者:K.Fujinaga
Electrical investigation of Si/SiGe layers grown on a nanometer - thick SOI by CVD
通过 CVD 在纳米厚 SOI 上生长的 Si/SiGe 层的电学研究
- DOI:
- 发表时间:2005
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T.Tanaka;M.Akazawa;E.Sano;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga;K.Fujinaga
- 通讯作者:K.Fujinaga
Effective hole mobilities in the buried channel of multiple SiGe quantum wells grown by ultra-clean low-pressure CVD
超净低压CVD生长的多个SiGe量子阱埋入沟道中的有效空穴迁移率
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T.Tanaka;M.Akazawa;E.Sano;K.Fujinaga
- 通讯作者:K.Fujinaga
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
FUJINAGA Kiyohisa其他文献
FUJINAGA Kiyohisa的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('FUJINAGA Kiyohisa', 18)}}的其他基金
Investigation of SiGe/Si hetero interface to provide a device for producing multi-valued signals using light-induced current modulation
研究 SiGe/Si 异质界面以提供使用光感应电流调制产生多值信号的装置
- 批准号:
22560339 - 财政年份:2010
- 资助金额:
$ 1.54万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
INVESTIGATION ON ELECTRONIC CHARACTERISTICS OF SiGe MULTI-QUANTUM WELL CHANNEL MOSFETs ON A SOI SUBSTRATE
SOI 衬底上 SiGe 多量子阱沟道 MOSFET 的电子特性研究
- 批准号:
09450145 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 1.54万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
相似国自然基金
面向量子计算应用的SOI-FinFET器件低温机理及模型研究
- 批准号:62374174
- 批准年份:2023
- 资助金额:48.00 万元
- 项目类别:面上项目
22nm FD-SOI nMOSFET电离总剂量与热载流子协同损伤效应研究
- 批准号:12305312
- 批准年份:2023
- 资助金额:30.00 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
兆级抗辐射应用的新型超薄叠层SOI材料可控制备及低温辐射效应研究
- 批准号:62304232
- 批准年份:2023
- 资助金额:30.00 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
基于SOI衬底的无结纳米片GAA器件研制及其抗总剂量辐射效应机理研究
- 批准号:62274171
- 批准年份:2022
- 资助金额:59.00 万元
- 项目类别:面上项目
SOI高压结型屏蔽器件辐射复合场调制机理与新结构研究
- 批准号:62274023
- 批准年份:2022
- 资助金额:53.00 万元
- 项目类别:面上项目
相似海外基金
A study on fan-in/fan-out augmentation of neuron circuits using a novel device
使用新型装置进行神经元电路扇入/扇出增强的研究
- 批准号:
21K14216 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.54万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
A Probing for Long-Term Operating Environment of IoT Devices using Multi-Output MOSFET
使用多输出 MOSFET 探测物联网设备的长期运行环境
- 批准号:
21K04091 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.54万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of high position resolution and radiation tolerant pixel detector for future collider experiment
为未来对撞机实验开发高位置分辨率和耐辐射像素探测器
- 批准号:
18K13571 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 1.54万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Analysis of Temperature Distribution in Nanoscale Electron Devices
纳米级电子器件中的温度分布分析
- 批准号:
26870574 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 1.54万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Study on performance improvement of SOI MOSFET single-photon detector
SOI MOSFET单光子探测器性能改进研究
- 批准号:
25286068 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 1.54万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)