Low-temperature formation and defect control of high-k dielectrics by PA-ALD

PA-ALD 高 k 电介质的低温形成和缺陷控制

基本信息

批准号：
22560307
负责人：
FUKUDA Yukio
金额：
$ 2.75万
依托单位：
Tokyo University of Science, Suwa
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
起止时间：
2010 至 2012
项目状态：
已结题

项目摘要

In the present research subject, we have investigated the atomic layer depositions of high-k metal oxides on silicon and germanium substrates using microwave-generated atomic oxygen as an oxidant. We have found that silicates and germanates of high-k metals are spontaneously formed on silicon and germanium substrates, respectively, at low temperatures lower than 300℃.

在本研究课题中，我们研究了使用微波产生的原子氧作为氧化剂在硅和锗衬底上的高k金属氧化物的原子层沉积，我们发现高k金属的硅酸盐和锗酸盐自发形成。分别在低于300℃的低温下硅和锗衬底。

项目成果

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专利数量（0）

TrapdensityofGeNx/Geinterfacefabricatedbyelectroncyclotronresonanceplasmanitridation

电子回旋共振等离子体氮化制备GeNx/Ge界面的陷阱密度

DOI：
10.1063/1.3611581
发表时间：
2011
期刊：
Appl.Phys.Lett.
影响因子：
0
作者：
W. Li;E. Meng;D. Ishikawa;K. Nakane;S. Oda;T. Matsushita;Y.Fukuda,Y.Otani,T.Sato,H.Toyota,001100203040andT.Ono;Y.Fukuda,Y.Otani,H.Toyota,andT.Ono
通讯作者：
Y.Fukuda,Y.Otani,H.Toyota,andT.Ono

マイクロ波リモートプラズマを用いた原子層堆積法によるGe基板上へのAl2O3薄膜の直接形成

微波远程等离子体原子层沉积法在Ge基底上直接形成Al2O3薄膜

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
灘真輝;御厨雄大;齋藤勝彦;田中徹;西尾光弘;郭其新;花田毅広
通讯作者：
花田毅広

マイクロ波生成リモートプラズマ支援ALD法によるSi基板上へのHfSixOy薄膜の低温形成

微波远程等离子体辅助ALD法在Si衬底上低温形成HfSixOy薄膜

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
石崎博基;飯田真正;王谷洋平;山本千綾;山中淳二;佐藤哲也;福田幸夫
通讯作者：
福田幸夫

InsituformationofhafniumsilicateonSisubstratebyatomiclayerdepositionwithtetrakis(dimethylamino)hafniumandmicrowave-generatedatomicoxygen

用四(二甲氨基)铪和微波产生的原子氧进行原子层沉积在硅衬底上原位形成硅酸铪

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
W. Li;E. C. Meng;T. Matsushita;S. Oda;D. Ishikawa;K. Nakane;H. Tatsuoka;H.Ishizaki,Y.Otani,C.Yamamoto,J.Yamanaka,T.Sato,T.Takamatsu,andY.Fukuda
通讯作者：
H.Ishizaki,Y.Otani,C.Yamamoto,J.Yamanaka,T.Sato,T.Takamatsu,andY.Fukuda

InterfacepropertiesofGeNx/Gefabricatedbyelectroncyclotronresonanceplasmanitridation

电子回旋共振等离子体氮化制备GeNx/Ge的界面特性

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
K.Shirai;K.Nakane;M.Shimomura;H.Tatsuoka;Y.Otani,Y.Fukuda,T.Sato,H.Toyota,H.Okamoto,andT.Ono
通讯作者：
Y.Otani,Y.Fukuda,T.Sato,H.Toyota,H.Okamoto,andT.Ono