Fabrication of planar-type GaN-based surface emitting devices

平面型GaN基表面发射器件的制造

• 批准号: 21560361
• 负责人: HONDA Tohru
• 金额: $ 3万
• 依托单位: Kogakuin University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21560361/
• 关键词: 光デバイス; 光回路; 窒化ガリウム; 紫外発光; 発光ダイオード; 集積化; 面発光; 3原色発光; 透明電極; MBE

GaN-based light-emitting pixels for the micro displays require the large-scale integration and their cost-effective fabrication. In this study, GaN-based Schottky-type LEDs and their integration were investigated. I found the face-pack process was effective for their reduction of the reverse-bias leakage current. This is also effective for the increase of light-emission efficiency. I have also proposed the MgZnO-based transparent electrode for the light-emitting devices.

用于微型显示器的基于 GaN 的发光像素需要大规模集成及其具有成本效益的制造。在本研究中，研究了基于 GaN 的肖特基型 LED 及其集成。我发现面板工艺对于减少反向偏置漏电流是有效的。这对于提高发光效率也是有效的。我还提出了用于发光器件的基于MgZnO的透明电极。

项目成果

極性および非極性GaN表面における表面再結合過程

极性和非极性 GaN 表面的表面复合过程

• 发表时间: 2011
• 作者: Kentaro Watanabe;Yoshiaki Nakamura,and Masakazu Ichikawa;坂井直之,井垣辰浩,尾沼猛儀,山口敦史,山口智広,本田徹
• 通讯作者: 坂井直之,井垣辰浩,尾沼猛儀,山口敦史,山口智広,本田徹

RF-MBE伝による(GaN/AlN)交互供給緩衝層上GaN薄膜のX線回折測定

通过 RF-MBE 传输对交替提供的 (GaN/AlN) 缓冲层上的 GaN 薄膜进行 X 射线衍射测量

• 发表时间: 2012
• 作者: 杉浦洋平;井垣辰浩;林才人;多次見大樹;山口智広;本田徹
• 通讯作者: 本田徹

化合物原料MBE法によるZnO薄膜の製作検討

复合原料MBE法制备ZnO薄膜的研究

• 发表时间: 2011
• 作者: 杉浦洋平;小田拓人;小畑聡;芳原義大;尾沼猛儀;本田徹
• 通讯作者: 本田徹

Reduction of reverse-bias leakage current in GaN-based Schottky-type light-emitting diodes by a surface modification

通过表面改性减少GaN基肖特基型发光二极管的反向偏置漏电流

• 发表时间: 2011
• 作者: T.Honda;N.Sakai;S.Komiyama;M.Hayashi;T.Igaki
• 通讯作者: T.Igaki

(GaN/AlN)多重緩衝層を用いたRF-MBE法によるSi基板上GaN薄膜成長

使用多个缓冲层通过 RF-MBE 方法在 Si 衬底上生长 (GaN/AlN) GaN 薄膜

• 发表时间: 2011
• 作者: 井垣辰浩;林才人;山口智広;本田徹
• 通讯作者: 本田徹