Fundamental Study on GaN-based Surface emitting devices and their integration
GaN基表面发射器件及其集成的基础研究
基本信息
- 批准号：18560344
- 负责人：
- 金额：$ 2.4万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2006
- 资助国家：日本
- 起止时间：2006 至 2008
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
高効率発光ダイオードがダブルへテロ構造および量子井戸、pn接合により実現されているが、マイクロディスプレイ応用の観点から、製作コストの点からデバイス構造の抜本的改革が必要とされている。本研究ではショットキー型発光ダイオードに着目し、低コスト集積化応用およびその発光効率向上を検討してきた。本素子は、逆方向リーク電流が少ないことが、素子の動作原理上要求される。窒化物上に蒸着したアルミニウム薄膜の大気中酸化およびその大気中エッチングにより低リーク電流を実現した
高效发光二极管已经通过双异质结构、量子阱和p-n结实现，但从微显示应用的角度来看，从制造成本的角度来看，需要对器件结构进行根本性的改革。在本研究中，我们主要关注肖特基发光二极管，并研究了低成本集成应用及其发光效率的提高。由于其工作原理，该元件需要具有较小的反向漏电流。通过对沉积在氮化物上的铝薄膜进行大气氧化和大气蚀刻，实现了低漏电流。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
GaN薄膜成長のための表面窒化Al基板製作
用于 GaN 薄膜生长的表面氮化 Al 衬底制造
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：田口悟;澤田石将士;笹谷光基;山本博美;本田徹
- 通讯作者：本田徹
Thermal effects on light-emission properties of GaN LEDs grown by metal-organic vapor phase epitaxy
金属有机气相外延生长的 GaN LED 发光性能的热效应
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Honda;T. Kobayashi;S. Egawa;M. Sawada;K. Sugimoto and T. Baba
- 通讯作者：K. Sugimoto and T. Baba
Excitonic absorption in GaN layers of GaN-based UV Schottky-type light-emitting diodes grown by metal-organic vapor phase epitaxy
金属有机气相外延生长的氮化镓基紫外肖特基型发光二极管氮化镓层中的激子吸收
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Komiyama;K. Noguchi;S. Suzuki;T. Honda
- 通讯作者：T. Honda
Photoluminescence spectra of GaN films grown at low temperature by compound-source molecular beam epitaxy
化合物源分子束外延低温生长GaN薄膜的光致发光光谱
- DOI：
- 发表时间：2006
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T.Honda;M.Sawada;T.Kobayashi;S.Egawa;Y.Aoki;M.Akiyama;H.Kawanishi
- 通讯作者：H.Kawanishi
Insertion of oxide layer to GaN-based Schottky-type UV light-emitting diode
氮化镓基肖特基型紫外发光二极管中插入氧化层
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：北川 文彦;鈴木 崇章;篠原 秀敏;水野 潤;庄子 習一;大塚 浩二;Tohru HONDA
- 通讯作者：Tohru HONDA
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Fabrication of planar-type GaN-based surface emitting devices
平面型GaN基表面发射器件的制造
- 批准号：
21560361 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 2.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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電子の非発光再結合を用いたGaAs中窒素不純物準位の高感度マッピング
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- 资助金额：
$ 2.4万 - 项目类别：
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- 资助金额：
$ 2.4万 - 项目类别：
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- 资助金额：
$ 2.4万 - 项目类别：
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- 资助金额：
$ 2.4万 - 项目类别：
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- 批准号：
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- 资助金额：
$ 2.4万 - 项目类别：
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