Fundamental Study on GaN-based Surface emitting devices and their integration
GaN基表面发射器件及其集成的基础研究
基本信息
- 批准号:18560344
- 负责人:
- 金额:$ 2.4万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2006
- 资助国家:日本
- 起止时间:2006 至 2008
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
高効率発光ダイオードがダブルへテロ構造および量子井戸、pn接合により実現されているが、マイクロディスプレイ応用の観点から、製作コストの点からデバイス構造の抜本的改革が必要とされている。本研究ではショットキー型発光ダイオードに着目し、低コスト集積化応用およびその発光効率向上を検討してきた。本素子は、逆方向リーク電流が少ないことが、素子の動作原理上要求される。窒化物上に蒸着したアルミニウム薄膜の大気中酸化およびその大気中エッチングにより低リーク電流を実現した
高效发光二极管是通过双重异质结构,量子井和PN连接来实现的,但是从微型播放应用的角度来看,在制造成本方面需要对设备结构进行基本改革。这项研究的重点是发出的肖特基型光二极管,并检查了低成本整合应用并提高了其发光效率。根据设备的操作原理,要求设备具有低反向泄漏电流。通过沉积在氮化物上并在大气中蚀刻的铝薄膜大气氧化来实现低泄漏电流。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
GaN薄膜成長のための表面窒化Al基板製作
用于 GaN 薄膜生长的表面氮化 Al 衬底制造
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:田口悟;澤田石将士;笹谷光基;山本博美;本田徹
- 通讯作者:本田徹
Thermal effects on light-emission properties of GaN LEDs grown by metal-organic vapor phase epitaxy
金属有机气相外延生长的 GaN LED 发光性能的热效应
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Honda;T. Kobayashi;S. Egawa;M. Sawada;K. Sugimoto and T. Baba
- 通讯作者:K. Sugimoto and T. Baba
Compound-source molecular beam epitaxy of GaN on Si at low temperature using GaN powder and ammonia as sources
以 GaN 粉末和氨为源的低温 Si 上 GaN 化合物源分子束外延
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Honda;M. Sawada;H. Yamamoto and M. Sawadaishi
- 通讯作者:H. Yamamoto and M. Sawadaishi
Photoluminescence spectra of GaN films grown at low temperature by compound-source molecular beam epitaxy
化合物源分子束外延低温生长GaN薄膜的光致发光光谱
- DOI:
- 发表时间:2006
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T.Honda;M.Sawada;T.Kobayashi;S.Egawa;Y.Aoki;M.Akiyama;H.Kawanishi
- 通讯作者:H.Kawanishi
Insertion of oxide layer to GaN-based Schottky-type UV light-emitting diode
氮化镓基肖特基型紫外发光二极管中插入氧化层
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:北川 文彦;鈴木 崇章;篠原 秀敏;水野 潤;庄子 習一;大塚 浩二;Tohru HONDA
- 通讯作者:Tohru HONDA
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Fabrication of planar-type GaN-based surface emitting devices
平面型GaN基表面发射器件的制造
- 批准号:
21560361 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
電子の非発光再結合を用いたGaAs中窒素不純物準位の高感度マッピング
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- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
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- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
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- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
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- 批准号:
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- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
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- 批准号:
16H04500 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
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