Establishment of an reliability evaluation scheme based on statistical analysis and electronic defect sensing for the reliability of silicon against fatigue failure

建立基于统计分析和电子缺陷检测的硅抗疲劳失效可靠性评估方案

基本信息

批准号：
20360052
负责人：
KAMIYA Shoji
金额：
$ 12.4万
依托单位：
Nagoya Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
起止时间：
2008 至 2010
项目状态：
已结题

项目摘要

A new scheme for statistical evaluation and estimation of fatigue lifetime of silicon was established. By applying the method developed in this study, a possible fatigue mechanism other than the already well-known hypothesis with surface oxidation as a key feature was newly suggested. It was also newly discovered by using electronic sensing method for mechanical damages on silicon surface that the electronic state of mechanical damage on silicon surface was sensitive to the gas species in environment, which suggests a possible mechanism inside the bulk material to reduce lifetime due to the existence of water or hydrogen.

建立了硅疲劳寿命统计评估和估算的新方案。通过应用本研究中开发的方法，除了已经众所周知的以表面氧化为关键特征的假设之外，新提出了一种可能的疲劳机制。利用电子传感方法检测硅表面机械损伤还新发现，硅表面机械损伤的电子态对环境中的气体种类敏感，这表明块体材料内部可能存在因水或氢气的存在。

项目成果

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专利数量（0）

Electrical properties of mechanically induced defects in single crystal silicon

单晶硅机械诱导缺陷的电学特性

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
Masatoshi Ogawa;Shoji Kamiya;Hayato Izumi Yutaka Tokuda
通讯作者：
Hayato Izumi Yutaka Tokuda

単結晶シリコンの機械的損傷の電子的性質に関する研究

单晶硅机械损伤电子特性研究

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
小川将史;神谷庄司;泉隼人;徳田豊
通讯作者：
徳田豊

A novel fatigue test with ramping stress amplitude to evaluate fatigue behavior of polyrilison thin films

一种新颖的疲劳试验，采用斜坡应力幅来评估多晶硅薄膜的疲劳行为

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
Vu Le Huy;Joao Gaspar;Oliver Paul;Shoji Kamiya
通讯作者：
Shoji Kamiya

シリコンの疲労メカニズムの描像を目的としたSEM内疲労試験の試み

尝试在 SEM 中进行疲劳测试，旨在描绘硅的疲劳机制

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
Masatoshi Ogawa;Shoji Kamiya;Hayato Izumi Yutaka Tokuda;神谷庄司,池田祐介,石川正芳,泉隼人ジョアオガスパー,オリバーポール;平井隆太郎,梅原徳次,月山陽介,泉隼人,神谷庄司
通讯作者：
平井隆太郎,梅原徳次,月山陽介,泉隼人,神谷庄司

不活性環境下でのシリコンの疲労挙動

惰性环境下硅的疲劳行为