Evaluation of interface delamination strength on the electronic device by stress measurement

通过应力测量评估电子器件的界面分层强度

基本信息

批准号：
19760488
负责人：
HASEGAWA Makoto
金额：
$ 2.23万
依托单位：
Yokohama National University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
起止时间：
2007 至 2008
项目状态：
已结题

项目摘要

電子デバイスなどでは、内部および外部からの力学的負荷による界面の剥離が問題となっている。本研究では、電子デバイスを模擬した材料としてCuと単結晶Al2O3あるいは多結晶Al2O3 の接合体を作製し、力学的負荷を接合体に加えた時に剥離に影響を与える界面に平行および垂直な方向の応力成分を求めた。応力成分はEBSD法を用いて得られるAl2O3の結晶方位の情報とレーザーを用いた蛍光分光法により得られるピークの位置情報より算出することができた。また、界面が剥離している状態においても応力成分を求めることができた。

在电子设备中，由于内部和外部机械载荷引起的界面剥离已成为一个问题。在这项研究中，我们制造了Cu和单晶Al2O3或多晶AL2O3的键，作为模拟电子设备的材料，并确定了方向平行的方向上的应力成分，并垂直于界面，该界面与界面相平行，在机械负载施加到键上时会影响剥离。应力分量可以根据有关使用EBSD方法获得的AL2O3的晶体方向以及使用激光使用荧光光谱获得的峰的位置信息来计算的。此外，即使界面脱落，也可以确定应力分量。

项目成果

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