GaN-based LEDs on nano- and micro-patterned porous Si substrates

纳米和微米图案多孔硅基板上的 GaN 基 LED

• 批准号: 19760235
• 负责人: ISHIKAWA Hiroyasu
• 金额: $ 2.25万
• 依托单位: Nagoya Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19760235/
• 关键词: 結晶成長; 電子デバイス・機器; ナノ材料; マイクロ・ナノデバイス; ポーラスSi; 窒化ガリウム(GaN); 有機金属気相成長(MOCVD); 陽極化成; エピタキシャルSi

廉価・高性能な発光ダイオード(LED)の実現に向け、新たな基板(ポーラスSi(PSi))を作製し、この上にLED用半導体材料(GaN)を形成する実験を行った。従来問題となった反りおよび歪みが低減され優れた発光特性を得たが、ヒビやポンホールが観察され平坦性が悪かった。調査したところPSi基板が高温時に変形することが原因であることがわかった。この変形を抑制することで上記問題が大幅に改善された。

为了实现低成本、高性能的发光二极管（LED），我们制作了一种新型基板（多孔硅（PSi）），并进行了实验，在该基板上形成LED用半导体材料（GaN）。尽管减少了传统的翘曲和变形问题并获得了优异的发光特性，但观察到裂纹和孔洞且平坦度较差。经调查，原因是PSi板在高温下变形。通过抑制该变形，上述问题得到显着改善。

项目成果

Si基板上GaInN MQW LEDにおけるn型層のドーピング濃度の影響

Si衬底GaInN MQW LED中n型层掺杂浓度的影响

• 发表时间: 2008
• 作者: 森直人;嶋中啓太;広森公一;石川博康
• 通讯作者: 石川博康

ポーラスSi基板上GaNの諸特性

多孔硅衬底上氮化镓的特性

• 发表时间: 2007
• 作者: 嶋中啓太;石川博康;十倉史行;林靖彦;原陽介;中西正美
• 通讯作者: 中西正美

GaInN light emitting diodes with AlInN/GaN distributed Bragg reflector on Si

• DOI: 10.1002/pssc.200778441
• 发表时间: 2008-05
• 期刊: Physica Status Solidi (c)
• 作者: H. Ishikawa;T. Jimbo;T. Egawa

In-situメルトバックエッチングを施したSi基板上GaN

采用原位回熔蚀刻技术的 Si 衬底上的 GaN

• 发表时间: 2008
• 作者: 石川博康;十倉史行;嶋中啓太
• 通讯作者: 嶋中啓太

MOCVD法によるポーラスSi基板上GaNの諾特性

MOCVD法研究多孔硅衬底上GaN的核性能

• 发表时间: 2007
• 作者: 嶋中啓太;石川博康;十倉史行;林靖彦;原陽介;中西正美
• 通讯作者: 中西正美