AuSn bumping process using hydrogen plasma

使用氢等离子体的 AuSn 凸点工艺

基本信息

  • 批准号:
    19560337
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2007
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2007 至 2008
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究では、低コストな金錫(AuSn)微小はんだバンプ(50μm 以下)形成プロセスの確立を目指し、ガスアトマイズ法で作製された微細な金錫(AuSn)はんだ粒子(5μm以下)と水素ラジカルリフローを組み合わせた微小バンプ形成プロセスを提案、実証した。さらに、モールドに微細はんだ粒子を充填し、水素ラジカルリフローを行うことで、微小はんだボールを一括形成し、このボールをチップに表面活性化接合により転写することで微小バンプを一括形成することにも成功した。
在这项研究中,我们的目标是建立一种低成本工艺,使用氢自由基回流和细金锡 (AuSn) 焊料颗粒(5 μm 或更小)形成小型金锡 (AuSn) 焊料凸点(50 μm 或更小)我们提出并演示了一种组合微凸块形成过程。此外,通过在模具中填充微细的焊料粒子并进行氢自由基回流,可以一次形成微小的焊球,并且通过表面活性接合将这些球转移到芯片上,可以一次形成微小的凸块成功了。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
微細はんだ粒子を充填したシリコンモールドと水素ラジカルリフローを用いた微小はんだボール形成
使用填充有微焊料颗粒的硅模具和氢自由基回流形成微焊球
Hydrogen radicalreflow characteristics of small AuSnparticles
小金锡粒子的氢自由基回流特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Daiske Chino;Eiji Higurashi;and Tadatomo Suga
  • 通讯作者:
    and Tadatomo Suga
Hydrogen radicalreflow characteristics of small AuSnparticles, Proc
小金锡粒子的氢自由基回流特性,Proc
Residue-free solder bumping using small AuSn particles by hydrogen radicals
通过氢自由基使用小 AuSn 颗粒进行无残留焊料凸块
Hydrogen radical reflow characteristics of small AuSn particles
小AuSn颗粒的氢自由基回流特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Daiske Chino;Eiji Higurashi;Tadatomo Suga
  • 通讯作者:
    Tadatomo Suga
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

HIGURASHI Eiji其他文献

HIGURASHI Eiji的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('HIGURASHI Eiji', 18)}}的其他基金

Surface activated bonding of GaN and its application for optical devices
GaN表面活化键合及其在光学器件中的应用
  • 批准号:
    17360155
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

相似海外基金

日本の乳幼児死亡率等改善の歴史を活用した国際保健教材の開発
利用日本降低婴儿死亡率等的历史,开发国际健康教材。
  • 批准号:
    18K10520
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Controlling the indium oxide surface by hydrogen radical treatment and its applications
氢自由基处理控制氧化铟表面及其应用
  • 批准号:
    16K06741
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
3次元LSIデバイス積層システムにおける放熱を考慮したLSIデバイス設計技術の研
3D LSI器件堆叠系统中考虑散热的LSI器件设计技术研究
  • 批准号:
    14F04917
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
フレキシブルデバイスの完全無線化に関する研究
全无线柔性器件研究
  • 批准号:
    13J03381
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Fundamental study for development of reminiscence therapy with nostalgic feelings
怀旧情感怀旧疗法发展的基础研究
  • 批准号:
    25780435
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了