Growth and material applications of narrow-bandgap III-V-N alloy semiconductor quantum nano-structures

窄带隙III-V-N合金半导体量子纳米结构的生长及材料应用

基本信息

批准号：
19360003
负责人：
ONABE Kentaro
金额：
$ 11.98万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
起止时间：
2007 至 2009
项目状态：
已结题

项目摘要

In-containing III-V-N type alloy semiconductors, such as InAsN, InGaAsN, InGaPN and InPN, have been grown by MOVPE in the form of thin films or quantum dots. The growth characteristics and material properties, such as bandgap reduction and luminescence, have been clarified in relation with the N incorporation. In particular, room-temperature photoluminescence of 1.2μm wavelength has been realized with the InAsN quantum dots. A novel potential of III-V-N type alloy semiconductors for useful applications has been demonstrated with this study.

含有INASN，INGAASN，INGAPN和INPN等内置III-V-N型合金半导体已由Movpe以薄膜或量子点的形式生长。与n行业有关，已经阐明了生长特性和材料特性，例如降低带隙和发光。特别是，通过INASN量子点已经实现了1.2μm波长的室温光含量。这项研究已经证明了IIII-V-N型合金半导体用于有用应用的新型潜力。

项目成果

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MOVPE growth and photoluminescence properties of InAsN QDs

InAsN 量子点的 MOVPE 生长和光致发光特性

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
physica status solidi (c) Vol. 5
影响因子：
0
作者：
S. Kuboya;S. Takahashi;Q. T. Thieu;F. Nakajima;R. Katayama;K. Onabe
通讯作者：
K. Onabe

Structural investigation of InGaAsN films grown on pseudo-lattice-matched InGaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy

通过金属有机气相外延在准晶格匹配 InGaAs 衬底上生长的 InGaAsN 薄膜的结构研究

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
Journal of Crystal Growth Vol. 298
影响因子：
0
作者：
P. Kongjaeng;S. Sanorpim;T. Yamamoto;W. Ono;F. Nakajima;R. Katayama;K. Onabe
通讯作者：
K. Onabe

Photoluminescence properties of InAsN QDs grown by MOVPE

MOVPE 生长的 InAsN 量子点的光致发光特性

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Kuboya;Q. T. Thieu;S. Takahashi;F. Nakajima;R. Katayama;K. Onabe
通讯作者：
K. Onabe

Ge(001)基板上へのInGaAsN薄膜のMOVPE成長

Ge(001) 衬底上 MOVPE 生长 InGaAsN 薄膜

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
菊地健彦;ティユクァントゥ;加藤宏盟;窪谷茂幸;サクンタムサノーピン;尾鍋研太郎
通讯作者：
尾鍋研太郎

Photoluminescence and photoluminescence-excitation spectroscopy of InGaPN/GaP lattice-matched single quantum well structures grown by MOVPE

MOVPE 生长的 InGaPN/GaP 晶格匹配单量子阱结构的光致发光和光致发光激发光谱

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
Journal of Crystal Growth 298
影响因子：
0
作者：
D. Kaewket;S. Tungasmita;S. Sanorpim;F. Nakajima;N. Nakadan;T. Kimura;R. Katayama;K. Onabe
通讯作者：
K. Onabe