Observation and control of spin dependent transport phenomena in magnetic/non-magnetic semiconductor nanostructures by using BEEM/STM techniques

使用 BEEM/STM 技术观察和控制磁性/非磁性半导体纳米结构中的自旋相关输运现象

• 批准号: 18360021
• 负责人: YOSHINO Junji
• 金额: $ 11.15万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18360021/
• 关键词: スピンエレクトロニクス; スピン依存トンネル現象; STM; STS; ハーフメタル; BEEM; BEES; MEES

磁性体/半導体のナノ構造の性能改善を目指して, BEEM/STM技術を用いてそのスピン依存トンネル現象を観測から界面のスピン状態に関する知見を得ること, さらに新しいハーフメタル型磁性体を用いたナノ構造の構築を目指して研究を行った. その結果, 特にGaAs(001)c(4x4)構造が, 2種の構造を有するとの認識に立ち, ハーフメタル型の電子構造を有するという理論予測のあるため新しい磁性材料として期待が持たれているzb型MnAsおよびCrAsのGaAs(001)表面上への成長の初期過程を明らかにした.

为了提高磁性/半导体纳米结构的性能，我们的目标是通过使用BEEM/STM技术观察自旋相关的隧道现象来获得有关界面自旋状态的知识，并进一步开发使用新型半金属磁性材料的纳米结构。结果，我们意识到 GaAs(001)c(4x4) 结构特别具有两种类型的结构。我们阐明了 zb 型 MnAs 和 CrAs 在 GaAs(001) 表面上的初始生长过程，它们有望成为新型磁性材料，因为理论上预测它们具有半金属型电子结构。

项目成果

Mn deposition on GaAs(001)-c(4×4)α reconstructed surfaces, Ascanning-tunneling-microscopy study

GaAs(001)-c(4×4)α 重建表面上的 Mn 沉积，扫描隧道显微镜研究

• 发表时间: 2008
• 作者: D. Komamiya;J. Okabayashi;and J. Yoshino
• 通讯作者: and J. Yoshino

Shape control in nanoscaled MnAs dots on sulfur-passivated GaAs(001)

硫钝化 GaAs(001) 上纳米级 MnAs 点的形状控制

• 发表时间: 2007
• 作者: Y. Ueno;T. Arai;J. Okabayashi and J. Yoshino
• 通讯作者: J. Okabayashi and J. Yoshino

GaAs(001)c(4×4)α再構成表面へのMn吸着過程

GaAs(001)c(4×4)α重构表面上Mn的吸附过程

• 发表时间: 2008
• 作者: H. M. Pask;P. Dekdcer;A. Lee;T. Omatsu;J. A. Piper;廣瀬和之;駒宮大介
• 通讯作者: 駒宮大介

Structure transition between two GaAs(001)-c(4x4) surface reconstruction in As_4 flux

As_4 通量中两个 GaAs(001)-c(4x4) 表面重建之间的结构转变

• 发表时间: 2007
• 期刊: J. Cryst. Growth 301-302
• 作者: N. Shiba;Y. Morimoto;K. Nawata;K. Furuki;Y. Tanaka;M. Okida;T. Omatsu;Arai et. al.;Yoko Kawamura;種村 眞幸;T.Arai et al.
• 通讯作者: T.Arai et al.

Initial growth mechanism of Mn and MnAs on GaAs c(4×4)reconstructed surfacesa

GaAs c(4×4)重构表面上Mn和MnAs的初始生长机制

• 发表时间: 2008
• 作者: D. Komamiya T. Arai;J. Okabayashi;and J. Yoshino
• 通讯作者: and J. Yoshino