Fabrication of high-quality heterostructures with half-metallic ferromagnets and creation of spin tunneling devices

用半金属铁磁体制造高质量异质结构并创建自旋隧道器件

• 批准号: 20246054
• 负责人: YAMAMOTO Masafumi
• 金额: $ 30.37万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20246054/
• 关键词: ハーフメタル; ホイスラー合金; ヘテロ構造; スピントロニクス; エピタキシャル成長; MgOバリア; スピン依存トンネリング; 半導体Ge; トンネル現象; スピン注入; スピン輸送特性

Heusler alloy thin films are promising as ferromagnetic electrode materials because they feature high spin polarization arising from their potentially half-metallic nature. High-quality heterostructures with Heusler alloy thin films were developed for device applications. Given these heterostructures, excellent devices characteristics were demonstrated for magnetic tunnel junctions. Furthermore, giant oscillations in spin-dependent tunneling resistances as a function of barrier thickness were found for fully epitaxial magnetic tunnel junctions with Heusler alloy Co2Cr0.6Fe0.4Al electrodes and a MgO barrier.

Heusler合金薄膜作为铁磁电极材料有希望，因为它们具有高度自旋极化，其潜在的半金属性质。用于设备应用的高质量异质结构是用牛头犬合金薄膜开发的。鉴于这些异质结构，为磁性隧道连接证明了出色的设备特性。此外，发现与Heusler Alloy Alloy CO2CR0.6Fe0.4Al电极和MGO屏障的完全外延磁性隧道连接发现自旋依赖性隧道电阻的巨型振荡与屏障厚度的关系。

项目成果

Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al/MgO/Co_<50>Fe_<50>強磁性トンネル接合のコンダクタンス特性に対するアニールの影響

退火对Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al/MgO/Co_<50>Fe_<50>铁磁隧道结电导性能的影响

• 发表时间: 2009
• 作者: K. Sawada;T. Uemura;M. Masuda;K.-i. Matsuda;and M. Yamamoto;M. Yamamoto;澤田圭佑;今井洋介;今井洋介;米村和希
• 通讯作者: 米村和希

Three-valued Magnetic Tunnel Junction for Non-volatile Ternary Content Addressable Memory Application

用于非易失性三元内容可寻址存储器应用的三值磁隧道结

• 发表时间: 2008
• 期刊: J. Appl. Phys vol.104
• 作者: T. Taira;T. Ishikawa;N. Itabashi;K.-i. Matsuda;T. Uemura;and M. Yamamoto;K.-i. Matsuda;T. Taira;S. Ouardi;T. Ishikawa;T. Ishikawa;T. Taira;T. Uemura and M. Yamamoto
• 通讯作者: T. Uemura and M. Yamamoto

Fabrication and Characterization of Fully Epitaxial Magnetic Tunnel Junction Field Sensors using a Co_2MnSi Thin Film

使用 Co_2MnSi 薄膜的全外延磁隧道结场传感器的制造和表征

• 发表时间: 2008
• 期刊: IEEE Transactions on Magnetics vol.44
• 作者: M. Masuda;T. Uemura;K.-i. Matsuda and M. Yamamoto
• 通讯作者: K.-i. Matsuda and M. Yamamoto

Co_2MnGe/MgO/Co_<50>Fe_<50>強磁性トンネル接合のコンダクタンス特性

Co_2MnGe/MgO/Co_<50>Fe_<50>铁磁隧道结的电导特性

• 发表时间: 2008
• 作者: T. Taira;T. Ishikawa;K.-i. Matsuda;T. Uemura and M. Yamamoto;N. Itabashi;N. Itabashi;K. Yonemura;T. Taira;T. Ishikawa;M. Yamamoto;板橋直樹;平智幸;石川貴之;平智幸
• 通讯作者: 平智幸

Co_2MnGe/MgO/Co_2MnGe強磁性トンネル接合のスピン依存コンダクタンス特性

Co_2MnGe/MgO/Co_2MnGe铁磁隧道结的自旋相关电导特性

• 发表时间: 2010
• 作者: 平田進之佑;平智幸;石川貴之;松田健一;植村哲也;山本眞史
• 通讯作者: 山本眞史