強誘電体薄膜ゲートFET型不揮発性メモリの保持特性改善の研究

提高铁电薄膜栅FET型非易失性存储器保持特性的研究

基本信息

批准号：
02J04863
负责人：
高橋光恵
金额：
$ 1.28万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (2003)Osaka University (2002)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2002
资助国家：
日本
起止时间：
2002 至 2003
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-02J04863/
关键词：
強誘電体半導体不揮発性メモリメモリ保持特性ゲートFET型メモリ SBT PLD MFIS MOD

项目摘要

金属-強誘電体-絶縁体-半導体(MFIS)構造を持つ電界効果トランジスタ(FET)型メモリはセルアレイの高集積化にとって有利なゲート積層構造であり、データの非破壊読み出し動作も可能である等の優れた性質を備えていることから、有望な半導体不揮発性メモリのひとつとして近年注目されている。このFET型強誘電体メモリが実用化されれば、従来のDRAMやFLASHメモリ等の半導体メモリを置き換えることや、論理回路を構成するトランジスタ単体を置き換えた書き換え可能な論理回路への応用も考えられ、半導体分野で大きな市場が得られる。昨年度、当研究員はまずMFIS積層構造内の特に金属-強誘電体接合のバンドプロファイルを考察するため、強誘電体薄膜材料として用いたSrBi2Ta209(SBT)薄膜表面の価電子帯エネルギーを紫外線光電子分光装置(UV-PYS)とX線光電子分光(XPS)とを用いて調べた。製膜条件および製膜後の熱処理条件を変えた複数のSBT薄膜を用意し、製膜条件および製膜後の熱処理条件がSBT薄膜表面の価電子帯エネルギーに与える影響を調べた結果を論文にまとめ、Journal of Applied Physics他の学会誌で発表した。また、パルスレーザーアブレーション(PLD)法によってMFIS FET素子を作製し、素子の製造工程の最適化に注力した。具体的には強誘電体層としてSBTを用いて系統的にFET作製条件を変化させたMFIS FET素子を多数作製し、作製条件の違いがMFIS FETメモリ素子の動作電圧、"1","0"情報の読み出し電流比、およびデータ保持特性へ与える影響を評価した。この結果を基に、さらに低動作電圧、高読み出し電流比、長いデータ保持特性を安定して得られるようなMFIS FETメモリ素子の製造工程を調べた。これらのMFIS FET素子についての研究結果については今後、学会誌等で発表予定である。

金属未来纤维绝缘（MFIS）电动车辆效应（FET）是一种栅极层压结构，对于高融合细胞射线是有利的，并且可以读取其出色的数据。，它一直引起人们的关注，这是有希望的半导体记忆之一。如果将这种FET型生育力记忆用于实际用途，则可以替换半导体内存（例如常规DRAM和闪存存储器），并应用于替代构成逻辑电路的晶体管的重写逻辑电路。，在半导体场中获得了大型市场。去年，这位研究人员首先首先考虑MFIS层压结构中金属 - 费鲁姆团块接头的带曲线，SRBI2TA209（SBT）紫外线电子区域用作分包薄膜材料，Ulteraviolet Light Electronic Electron-Electron Electron Electron Electron Electron Electron Electoron Electron Electron Electron Electron Electron Electron材料（UV-PYS）检查了X射线光学电子光谱仪（XPS）。制备多个SBT薄膜的结果，这些薄膜改变了膜的制定和膜形成后的热处理条件，并检查膜制剂条件的影响以及热处理条件对SBT薄膜表面的影响SBT薄膜表面。此外，MFIS FET元件是由脉冲激光消融（PLD）定律创建的，并致力于优化元素的制造过程。具体而言，使用SBT作为奖学金电层系统改变FET制备条件的大量MFIS FET元素以及生产条件的差异是MFIS FET存储器元件的工作电压，“ 1”，“ 0” 0。 “我评估了信息的读取电流比率和数据保留特征的影响。基于此结果，检查了MFIS FET记忆元素的制造过程，以进一步获得低移动电压，高读取电流比和较长的数据保留特性。这些有关这些MFIS FET元素的研究结果将在学术期刊上发表。