環境調和量子反応制御プロセスに関する調査研究

环境和谐的量子反应控制过程研究

基本信息

批准号：
11895002
负责人：
後藤俊夫
金额：
$ 1.15万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

シリコン系分野を対象として,環境調和型の量子反応制御プロセスを探索するために,材料・電子工学・物理・化学分野の11名の研究者の協力のものに調査研究を行った.その結果,下記の成果が得られた.1.低環境負荷型新プロセス材料として,金属酸化絶縁膜,シリコン酸化膜系低誘電率膜等をプラズマを用いて形成する材料プロセスが有望であることが明らかになった.特に,薄膜形成に必要な清浄表面形成方法としてプラズマからの原子状酸素を用いた省エネルギープロセスが極めて有効であることが分かった.2.放射光を利用した低環境負荷反応制御法によりシリコン極微細構造の形成が可能であることを明らかにした.次世代の超精密微細加工技術としての有効性を確認した.3.負イオンビームを用いた低環境負荷プロセスにより,炭素薄膜などの新規材料の創製が可能であることが判明した.さらに,高エネルギーイオンビーム注入法により半導体材料中に自己組織的にナノサイズの構造を形成でき,新しいデバイス作成プロセスとしての可能性を見出した.4.ガスを用いないで固体ソースによる新しいガス供給系を開発し,エッチングおよび薄膜堆積へ適応可能な新しい環境調和型ナノプラズマプロセスが創製できることを明らかにした.また,気相および表面反応の計測技術とシミュレーション技法を駆使することが量子反応の精密制御と高効率化に極めて重要であることが明らかになった.これらの調査研究結果については,「環境調和量子反応制御プロセス研究報告会」を3回開催し,組織的に相互に報告し活発な議論行った.また,適宜,外部から専門家を招へいし情報収集を行った.これらの調査研究成果を基にして,研究内容と体制を十分に吟味して,平成12年度特定領域研究(B)「環境調和型ナノプラズマプロセスの基礎」を組織し,申請するに至った.

为了寻找硅基领域环境友好的量子反应控制过程，我们与材料、电子、物理、化学等领域的11位研究人员合作进行了研究，结果如下：获得以下成果：： 1. 很明显，使用等离子体形成金属氧化物绝缘膜、氧化硅基低介电常数膜等的材料工艺作为环境影响低的新工艺材料是有前途的，特别是清洁表面形成。薄膜形成所需的方法和发现使用来自等离子体的原子氧的节能工艺极其有效。 2.揭示了通过使用同步加速器辐射的低环境负荷反应控制方法可以形成硅超微结构的有效性。 3. 确认了新一代超精密微细加工技术，可以利用负离子束和高能离子束，以低环境负荷的工艺制造碳薄膜等新材料。使用注入方法可以在半导体材料中自组织纳米尺寸的结构，并且我们发现了这种作为新器件创建工艺的可能性。 4.开发了一种使用固体源而不使用气体和蚀刻的新气体供应系统。研究表明，可以创造一种可应用于薄膜沉积的环保纳米等离子体新工艺。此外，充分利用气相和气相的测量和模拟技术，可以实现量子反应的精确控制和高效率。表面反应。显然，这些研究成果对于实现环境友好的量子反应极其重要。“环境协调化量子反应控制过程研究报告会”已召开3次，系统地相互汇报成果并进行交流。进行了热烈的讨论。此外，如果合适，我们可能会要求公司外部提供专门信息。我们邀请人们到家中收集信息。根据这些调查和研究的结果，我们仔细审查了研究内容和结构，并进行了2000年特定领域研究（B）“环境友好型纳米等离子体工艺的基础”。我们已经组织并申请了这个。