環境調和量子反応制御プロセスに関する調査研究

环境和谐的量子反应控制过程研究

基本信息

批准号：
11895002
负责人：
後藤俊夫
金额：
$ 1.15万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

シリコン系分野を対象として,環境調和型の量子反応制御プロセスを探索するために,材料・電子工学・物理・化学分野の11名の研究者の協力のものに調査研究を行った.その結果,下記の成果が得られた.1.低環境負荷型新プロセス材料として,金属酸化絶縁膜,シリコン酸化膜系低誘電率膜等をプラズマを用いて形成する材料プロセスが有望であることが明らかになった.特に,薄膜形成に必要な清浄表面形成方法としてプラズマからの原子状酸素を用いた省エネルギープロセスが極めて有効であることが分かった.2.放射光を利用した低環境負荷反応制御法によりシリコン極微細構造の形成が可能であることを明らかにした.次世代の超精密微細加工技術としての有効性を確認した.3.負イオンビームを用いた低環境負荷プロセスにより,炭素薄膜などの新規材料の創製が可能であることが判明した.さらに,高エネルギーイオンビーム注入法により半導体材料中に自己組織的にナノサイズの構造を形成でき,新しいデバイス作成プロセスとしての可能性を見出した.4.ガスを用いないで固体ソースによる新しいガス供給系を開発し,エッチングおよび薄膜堆積へ適応可能な新しい環境調和型ナノプラズマプロセスが創製できることを明らかにした.また,気相および表面反応の計測技術とシミュレーション技法を駆使することが量子反応の精密制御と高効率化に極めて重要であることが明らかになった.これらの調査研究結果については,「環境調和量子反応制御プロセス研究報告会」を3回開催し,組織的に相互に報告し活発な議論行った.また,適宜,外部から専門家を招へいし情報収集を行った.これらの調査研究成果を基にして,研究内容と体制を十分に吟味して,平成12年度特定領域研究(B)「環境調和型ナノプラズマプロセスの基礎」を組織し,申請するに至った.

为了探索硅领域中环境和谐的量子反应控制过程，对研究和研究进行了研究，该研究与11位材料，电子，物理和化学领域的研究人员合作。结果如下：1。揭示了金属氧化物绝缘膜和基于氧化物氧化物的低测恒定膜的材料过程被用作新的低环境工艺材料。特别是，使用来自血浆的原子氧的节能过程非常有效，作为形成薄膜形成所需的清洁表面的方法。 2。揭示了可以通过使用同步加速器光控制低环境反应来实现超细硅结构的形成。已经证实，下一代超精确微加工技术的有效性。 3。发现使用负离子束的低环境过程使得可以创建新材料，例如碳薄膜。此外，高能离子光束注射方法允许以自组织方式以半导体材料形成纳米大小的结构，并且发现了新设备创建过程的可能性。 4。已经揭示了可以开发出使用无气的固体源的新气体供应系统，并且可以创建适合于蚀刻和薄膜沉积的新的环保纳米质量工艺。还已经揭示了使用气相和表面反应测量技术和仿真技术对于量子反应的精确控制和高效率非常重要。这些研究结果进行了三次，并举行了“环境统一反应控制过程的报告报告会议”，两国之间进行了积极的讨论，并邀请外部专家在适当时收集信息。基于这些研究结果，对研究内容和系统进行了彻底检查，并组织了“环境和谐的纳米质量过程”，并进行了应用。