イオンビーム技術の基礎科学

离子束技术基础科学

基本信息

批准号：
60120003
负责人：
藤本文範
金额：
$ 33.6万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份：
1985
资助国家：
日本
起止时间：
1985 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究は、共鳴励起の研究、偏極イオンの注入の研究、固体表面・界面の研究の3グループに分かれて進められた。1.共鳴励起の研究では、高精度ゴニオメータおよびチェンバーを作製する一方、銀の(100)単結晶薄膜を作り、高速重イオンの透過チャネリング実験、共鳴励起による荷電変換に最も敏感と考えられるコンボイ電子スペクトルの測定を行った。また、表面チャネリングによる共鳴励起の研究では、単結晶表面で方位角を変えて小角散乱させたH,Heイオンの荷電分布を測定した。2.偏極イオンを用いる研究では高速核スピン制御データ収録装置を完成し、これと手作りの装置を結合してバナジウム中の【^(12)N】が四面体位置を占めることを見出した。さらに、鉄中の【^(12)N】について測定中である。また、鉄中の原子番号56までの不純物について置換位置における超微細場、スピン格子緩和時間の計算を行い、さらに、原子番号10までの不純物について格子間位置も含めた安定位置・周辺原子の緩和等を求めるプログラムを作製している。3.表面構造の研究では、チェンバーと回転台を作製し、Si(100)2×8構造が約1%の表面濃度のNiの付着により現れることを見出した。表面分析の研究では、反跳粒子検出による軽元素の定量法の感度・深度分解能を評価すると共に、チャネリング法によりTi,Zr中のDが、四面体位置を占めることを見出した。PIXE法による分析の研究では、波高分析器を購入し、不純物深度分布の標準試料を作成し、フーリェ法による深度分布の解析法の開発および検出感度の評価を行った。界面構造の研究では、MBE法で作ったGaas(100)面上のZnSeとZnSについて、チャネリング法により積層界面に格子緩和があることを見出した。

本研究分为三组：共振激发研究、极化离子注入研究、固体表面与界面研究。 1. 谐振激发研究，制作高精度测角仪和腔室，制作银（100）单晶薄膜，进行高速重离子传输沟道实验，进行护航电子护航实验，这被认为是对共振激发的电荷转换最敏感的光谱。此外，在表面沟道共振激发的研究中，我们测量了单晶表面不同方位角小角度散射的H和He离子的电荷分布。 2. 在利用极化离子的研究中，我们完成了高速核自旋控制数据记录装置，并通过将其与手工装置结合，我们发现钒中的[^(12)N]占据四面体位置。此外，我们目前正在测量铁中的 [^(12)N]。此外，我们计算了铁中原子序数不超过56的杂质在取代位置的超精细场和自旋晶格弛豫时间，还计算了原子序数不超过56的杂质周围原子（包括间隙位置）的稳定位置和弛豫时间。 10. 我正在创建一个程序来查找此类内容。 3.在表面结构的研究中，我们制作了一个室和一个旋转台，发现由于表面浓度约为1%的Ni的附着，出现了Si(100)2×8结构。在表面分析研究中，我们利用反冲粒子检测评估了轻元素定量方法的灵敏度和深度分辨率，并发现Ti和Zr中的D利用沟道法占据了四面体位置。在使用PIXE法的分析研究中，购买了波高分析仪，制备了杂质深度分布的标准样品，开发了使用傅立叶法的深度分布分析方法并评估了检测灵敏度。在界面结构研究中，我们发现采用MBE法制备的Gaas（100）面上的ZnSe和ZnS采用沟道法在堆叠界面处存在晶格弛豫。