Formation of III-V semi-conductor quantum dots by ion sputtering

离子溅射形成III-V族半导体量子点

• 批准号: 5268952
• 负责人: Professor Dr. Heinrich Kurz (†)
• 金额: --
• 依托单位: AMO GmbH - Gesellschaft für Angewandte Mikro- und Optoelektronik mbH
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5268952?language=en
• 关键词: Formation; III; semi; conductor; quantum

Die kontrollierte Herstellung von Halbleiter-Quantenpunkten unterhalb 50 nm erfordert neue Technologien, die über die etablierten lithografischen Methoden hinaus gehen. Methoden, die auf Selbstorganisation beruhen, bieten einen neuen Zugang und gelten als erfolgreiche Kandidaten. Gegenstand der Untersuchungen ist eine neue selbstorganisierte Methode, die auf einer Oberflächeninstabilität unter Ionenbeschuß beruht und regelmäßige hexagonal angeordnete Quantenpunkte im Bereich von 10 bis 80 Nanometer auf Oberflächen von III-V Halbleitern erzeugt. Die dabei auftretenden Prozesse und das Zusammenspiel des krümmungsabhängigen Oberflächenabtrags durch Ionenbeschuß sowie der thermischen und ioneninduzierten Diffusion soll in den Grundlagen untersucht werden. Die Untersuchungen zum Bildungsmechanismus sollen den Weg für die Übertragung des Verfahrens auf weitere Materialien ebnen und die kontrollierte Herstellung von Quantenpunkten ermöglichen.

Die Kontrollierte Herstellung von halbleiter-Quantenpunkten Unterhalb 50 nm Erfordert Neue Technologien，DieüberDie etablierten lithogren lithogragrafischen方法Hinaus gehen。方法，Die auf selbstorlanisation beruhen，bieten einen neuen zugang und gelten als als erfolgreiche kandidaten。 Gegenstand der Untersuchungen ist eine neue selbstorganisierte Methode, die auf einer Oberflächeninstabilität unter Ionenbeschuß beruht und regelmäßige hexagonal angeordnete Quantenpunkte im Bereich von 10 bis 80 Nanometer auf Oberflächen von III-V Halbleitern erzeugt. Die dabei auftretenden prozesse und das zusammenspieldesKrümmungsabhängigenoberflächenabtragsdurchionenbeschußsowiesowie der thermchen und thermchen und ionenIninduzierten扩散solfusion soll in den den grundlagen untersucht untersucht werden。 Die Untersuchungen Zum bildungsmechanismus us sollen公司致力于创建目前正在居住在数量的公司中的公司形式的材料。