Formation of non-polar quantum well using group-III nitrides fine single crystals as template

以III族氮化物细单晶为模板形成非极性量子阱

基本信息

批准号：
23760636
负责人：
SAKAMOTO Naonori
金额：
$ 2.83万
依托单位：
Shizuoka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
起止时间：
2011 至 2012
项目状态：
已结题

项目摘要

AlInN epitaxial growth was demonstrated by a Single-pass process or a Double-pass process. By the single-pass process, pillar structure InN crystals with Al contained were obtained although the crystals randomly grew (no epitaxial relationship between the crystals and substrate). The result indicated that InN should be grown priorto the AlInN layer growth. By the double-pass process, no film formation occurred by this process. Therefore the Al-In ratios were controlled by the weight ratios of AlI3a n d I n C l3sources. Al-In ratios of the obtained AlInN film were controlled within 0 to 15 % of In in the AlInN films.

通过单通行过程或双通用过程证明了Alinn外延的生长。通过单次通行过程，尽管晶体随机生长（晶体与底物之间没有外延的关系），但获得了带有Al含有Al的柱状结构Inn晶体。结果表明，应种植Inn的Alinn层生长。通过双通行过程，该过程没有发生薄膜形成。因此，Al-In比率受Ali3a n d i n c l3sources的重量比控制。在Alinn膜中控制了所获得的Alinn膜的Al-In比率在0％至15％之内。

项目成果

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专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

大気圧ハライドCVD法によるAlInNの作製

常压卤化物CVD法制备AlInN

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. Yang;H.S. Lee;M. C. Sarahan;Y. Sato;M. Chi;Y. Ikuhara;and N. D. Browning,;坂元尚紀
通讯作者：
坂元尚紀

大気圧ハライドCVD 法で作製したフラワー状窒化インジウムの成長メカニズム

常压卤化物CVD法制备花状氮化铟的生长机理

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Sato;J. -Y. Roh;and Y. Ikuhara;廣瀬将成・坂元尚紀・脇谷尚樹・鈴木久男;Takuya Hoshina,Tsutomu Furuta,Takahiro Yamazaki,Hiroaki Takeda,Takaaki Tsurumi;小金達也・杉浦永・坂元尚紀・脇谷尚樹・符徳勝・鈴木久男
通讯作者：
小金達也・杉浦永・坂元尚紀・脇谷尚樹・符徳勝・鈴木久男

APHCVD 法により作製された柱状InN結晶の成長メカニズムにおよぼす単結晶基板の影響

单晶衬底对APHCVD法制备柱状InN晶体生长机制的影响

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
保科拓也;古田努;山崎貴弘;武田博明;鶴見敬章;佐藤幸生，平山司，幾原雄一;坂元尚紀
通讯作者：
坂元尚紀

大気圧ハライド CVD 法による AlInN の作製

常压卤化物CVD法制备AlInN

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Sato;J. -Y. Roh;and Y. Ikuhara;廣瀬将成・坂元尚紀・脇谷尚樹・鈴木久男
通讯作者：
廣瀬将成・坂元尚紀・脇谷尚樹・鈴木久男

APHCVD 法により作製された柱状InN 結晶の成長メカニズムにおよぼす単結晶基板の影響

单晶衬底对APHCVD法制备柱状InN晶体生长机制的影响

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
J. -Y. Roh;Y. Sato;and Y. Ikuhara;坂元尚紀;Takuya Hoshina;坂元尚紀・村瀬智宏・杉浦永・脇谷尚樹・鈴木久男
通讯作者：
坂元尚紀・村瀬智宏・杉浦永・脇谷尚樹・鈴木久男

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SAKAMOTO Naonori其他文献

Spontaneous superlattice formation and electrical properties of Sr-excess SrTiO3 thin film deposited on SrTiO3(101) by dynamic aurora pulsed laser deposition

动态极光脉冲激光沉积SrTiO3(101)上Sr过量SrTiO3薄膜的自发超晶格形成及电学性能

DOI：
10.2109/jcersj2.20232
发表时间：
2021
期刊：
Journal of the Ceramic Society of Japan
影响因子：
1.1
作者：
KAWAGUCHI Takahiko;KAWAI Takeshi;HIRAIWA Takuma;SAKAMOTO Naonori;SHINOZAKI Kazuo;SUZUKI Hisao;WAKIYA Naoki
通讯作者：
WAKIYA Naoki

Development of dynamic aurora pulsed laser deposition equipped with reflection high-energy electron diffraction and effects of magnetic fields on room-temperature epitaxial growth of NiO thin film

开发配备反射高能电子衍射的动态极光脉冲激光沉积和磁场对 NiO 薄膜室温外延生长的影响

DOI：
10.2109/jcersj2.20215
发表时间：
2021
期刊：
Journal of the Ceramic Society of Japan
影响因子：
1.1
作者：
KAWAGUCHI Takahiko;YOSHIDA Mayu;SAKAMOTO Naonori;SHINOZAKI Kazuo;SUZUKI Hisao;WAKIYA Naoki
通讯作者：
WAKIYA Naoki