電気化学的手法による高機能薄膜作製におけるエピタキシ-制御手法の確立

电化学法制备高性能薄膜的外延控制方法的建立

基本信息

批准号：
06750724
负责人：
本間敬之
金额：
$ 0.58万
依托单位：
Waseda University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究は,電気化学的手法による機能薄膜作製において,特に“エピタキシ-"に着目し,これに影響を与える諸因子を明らかにすると共に,それらを利用したエピタキシ-制御手法を確立することを目的に研究を行った.その際,特に本手法独特の成膜因子を制御パラメータの中心とし,蒸着,スパッタ等の物理成膜法では不可能な,本成膜法ならではの高度な膜微細構造制御手法の確立を念頭に検討を進めた.まず申請者が従来より検討対象としてきた無電解析出法のよるCo合金薄膜を対象に検討を進めた.c軸が基板面に垂直に配向したhcp構造を有する無電解CoNiReP薄膜を同軸が面内配向した無電解CoP薄膜上に直接成膜したところ,通常のエピタキシ-効果によりCoNiReP上層は両内配向構造となり,またその磁気特性もCoP膜に類似のものとなった.両層間に数nm厚程度の中間層を付与したところ膜成長のエピタキシ-は断ち切れたが,同時に両層間の磁気的相互作用(交換結合)も断ち切られた.そこで,CoP下地表面に,無電解折出反応に対し高い触媒能を示すPdを付与したところ,その吸着量は0.5ML以下であるものの表面の優先析出(エピタキシャル成長)サイトに効果的にクラスタを形成する結果,磁気的相互作用を保ったままでエピタキシャル成長を抑制可能であることが明らかとなった.このような手法を用いて,従来は作製不可能であった垂直面内複合型磁気ディスクを得,その記録再生特性が極めて良好であることを明かとし,このようなエピタキシ-制御手法の有効性を確認した.さらに主々の因子の与える影響の詳細な解析の推進が可能な新浴系を開発すると同時に種々の電気化学的パラメータの影響を検討し,従来通説とされていた,金属イオンの錯状態の影響は必ずしも一義的なものでないことを明らかにした.以上の検討より得られた結果を基に,次のステップとして,より高度な機能を発現する薄膜(多層膜,人工超格子膜等)材料創製への展開を目指す予定である.

这项研究的重点是“外观”，尤其是使用电化学方法制造功能性薄膜的研究，其目的是建立一种利用这些方法来利用这些方法。在这项研究中，我们专注于该方法作为控制参数的中心的膜形成因子，并通过建立了这种薄膜形成方法独有的复杂膜微结构控制方法进行了考虑，这是不可能使用蒸发和溅射的物理膜形成方法。首先，申请人以前已经研究了电气电脑，这是电溶液的主题。我们使用沉积方法研究了CO合金薄膜。当带有HCP结构的电气圆锥形薄膜具有C轴垂直于底物表面的C轴结构直接沉积在带有同轴向处的平面薄膜上，因此由于通常的外交效果，ConireP上层的上层上层具有内部方向结构，其磁性具有与COP膜相似。当两个层之间施加了几个NM厚度的中间层时，膜的外观生长被打破，但与此同时，两层之间的磁相互作用（交换耦合）也被损坏了。结果被切割了。当将电气裂缝反应具有较高催化能力的PD应用于COP底漆表面，尽管吸附量低于0.5 ml，但在表面优先降水（外部降水）位点有效地形成了簇，可以表明，可以抑制外在的生长，同时维持磁性相互作用。使用此方法，获得了以前无法制造的垂直平面复合磁盘，其记录和繁殖特性非常好。我们已经确认了这种外观控制方法的有效性。此外，我们开发了一个新的浴系统，可以促进对主要因素的影响进行详细分析，同时，我们研究了各种电化学参数的影响，并揭示了金属离子复杂状态的影响，这些状态在常规上很普遍。根据从上述研究中获得的结果，我们计划开发下一步，以创建表现出更高级功能的材料（多层膜，人造超级突变性膜等）。