シリコン表面ナノ領域の電気化学的特性解析と新規ウェットプロセスへの展開

硅表面纳米域的电化学表征和新湿法工艺的开发

基本信息

批准号：
13750631
负责人：
本間敬之
金额：
$ 1.15万
依托单位：
Waseda University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2001
资助国家：
日本
起止时间：
2001 至 2002
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-13750631/
关键词：
マイクロファブリケーションナノデバイス造形ナノ構造形成・制御電気化学ナノ構造電子・情報材料磁性材料新機能材料ウェットプロセスデバイスプロセス電気化学プロセスシリコンウェハナノ構造形成ウルトラクリーンテクノロジー表面ポテンシャル走査プローブ顕微鏡

项目摘要

液相中でウェハ表面を処理するウェットプロセスは,表面の超清浄化やULSIチップ内部の微細銅配線形成など,デバイスプロセスの重要な部分を担っている.本研究はこのウェットプロセスに着目し,シリコン単結晶表面の電気化学的特性をnmレベルの分解能で定量的に解析し,これを基にした新規ウェットデバイスプロセス(シリコン表面微細加工・微細修飾など)の開発を目的とした.前年度の研究において,ウェハ表面におけるナノレベルの欠陥をナノインデンテーション法により精密に形成する手法およびその特性を表面電位顕微鏡(SPoM)により定量的に測定する手法を開発した.これを基に,本年度は種々のナノ構造を形成可能なプロセスの確立を試みた.まず,ナノインデンテーション法による表面欠陥形成手法を改良し,ウェハ表面にナノ欠陥領域,すなわち析出活性領域をパターン形成する手法を開発した.次にこのようなパターンを有する表面を金属イオン種を含む溶液に浸せきすることにより,金属ナノ構造体を一括形成可能とするプロセスを開発した.Cu, Ag, Auなどの導電体およびCo系磁性体のナノ構造を高い選択性で自在に形成できるプロセスを開発することができた.これらのプロセスは現行のフォトリソグラフィー法のような複雑な手順や装置は一切必要としない,極めて単純かつ低環境負荷なものである.さらに,これらの成果を基にした,電子機能・磁気的機能・化学的機能(反応制御)を有するナノデバイス・システム,例えば集積回路内の受動型埋込部品(微細抵抗回路など)や,上記各種機能を有するナノドットアレイの選択的形成などへの本プロセスの適用に着手した.今後はこれらをさらに進展させ.本成果をさらに発展させる予定である.

湿法在液相中处理晶圆的表面是设备过程的重要组成部分，例如表面的超纯化和Ulsi Chip内部的细铜线的形成。湿过程。基于NM级别的分辨率，我们已经开发了一种方法。其中纳米级缺陷是通过naninging方法精确开发的，并且一种基于此的表面电势显微镜（SPOM）定量测量其特征的方法。一个可以形成纳米结构的过程。。我们能够开发一个可以在高度选择性的过程中形成纳米结构的过程。具有电子功能，磁功能，化学功能（反应控制）的纳米蛋白酶系统，例如，在集成电路中的被动嵌入零件（良好的电阻电路（优质电阻电路）。此过程已开始应用于选择性形成纳米阵列具有上述各种功能，我们计划进一步发展这些结果。