Resonanter Photon Drag in GaAs/AlxGa1-xAs Quantum Wells als lokale Strominjektion für QHE-Experimente

GaAs/AlxGa1-xAs 量子阱中的共振光子拖曳作为 QHE 实验的局部电流注入

• 批准号: 5246608
• 负责人: Professor Dr. Andreas Dirk Wieck
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Experimentelle Physik VI: Lehrstuhl Angewandte Festkörperphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5246608?language=en
• 关键词: Resonanter; Photon; Drag; GaAs; AlxGa1

Der resonante Photon-Drag wird durch den Impulsübertrag von Photonen auf Leitungselektronen induziert und bewirkt eine Richtungsbündelung von elastischen Streuprozessen, die zu einem Netto-Elektronenstrom parallel oder antiparallel zur Richtung der eingestrahlten Photonen führt. Die damit längs des Lichtweges auftretende Drag-Spannung kann bei resonanter Intersubbandanregung beträchtliche Werte annehmen. Bereits bei der MBE-Herstellung wird die Dicke des Quantum Wells und somit der energetische Abstand der Subbänder auf die Energie der Photonen von etwa 120 meV abgestimmt. Im Gegensatz zur Strominjektion durch ohmsche Kontakte, wie sie bei Transportexperimenten üblich ist, kann der Nettostrom hier lokal durch Intersubbandresonanz und elastische Stoßprozesse als Einteilchenanregung induziert werden. Der Quanten-Hall-Effekt ist bekanntermaßen ein kollektives Phänomen, das durch Landau-Füllfaktoren und Entartung bestimmt wird. Mit der Technik des Photon Drags bietet sich die interessante Möglichkeit, Ströme und damit im senkrechten Magnetfeld Hall-Spannungen zu induzieren, die durch die Einteilchenanregung der Intersubbandresonanz hervorgerufen werden. Erste Untersuchungen zeigen, dass in der Tat Photon-Drag-induzierte Hallspannungen beobachtbar sind, die sich entsprechend der Entartung periodisch in 1/B verhalten.

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