Mit fokussierten Ionenstrahlen hergestellte Strukturen in der Ebene und an Oberflächen von dünnen kristallinen und amorphen Silizium-Schichten auf amorphen Substraten und ihre Anwendung auf Flüssigkristallsysteme

用聚焦离子束在非晶基底上的薄晶体和非晶硅层的平面和表面上产生的结构及其在液晶系统中的应用

• 批准号: 5218058
• 负责人: Professor Dr. Andreas Dirk Wieck
• 金额: --
• 依托单位: Fakultät für Physik und Astronomie
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2005-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5218058?language=en
• 关键词: Mit; fokussierten; Ionenstrahlen; hergestellte; Strukturen

Die heutigen Konzepte von Halbleiter- und opto-elektronischen Systemen basieren vollständig auf photolithographischer Maskierung des Substrates, gefolgt von einer Vielzahl von Präparationsschritten wie Abscheidung, Ätzen oder Dotierung. Wegen der bekannten und erwarteten Limitierungen der Photolithographie wurde über einen Zeitraum von Jahren intensive Erforschung und Entwicklung von alternativen maskenlosen Herstellungstechniken durchgeführt. Eine dieser Techniken ist die Strukturierung und Implantation mit fokussierten Ionenstrahlen. Zur Zeit dominieren Silizium-basierte elektronische Bauteile in Kombination mit Flüssigkristallen. Unter Beachtung dieser Tatsache wollen wir dünne amorphe und kristalline Siliziumschichten auf Glas- oder Quarzsubstraten durch maskenlose fokussierte Ionenimplantation strukturieren. Dies könnte eine neue Methode zur Herstellung von Treibertransistoren in "in-plane-gate"-Technologie eröffnen, die später sogar auf zukünftige organische Materialien ausgeweitet werden könnte. Bisher gibt es nur sehr wenig Erfahrungen mit der Strukturierung solcher Schichten durch fokussierte Ionenstrahlen. Die auf diese Weise hergestellten "in-plane-gate"-Transistoren sollen elektrisch durch Gleichstrom- und Wechselstrommessungen charakterisiert werden, was zur Aufdeckung einiger ihrer grundlegenden physikalischen Mechanismen beitragen wird. Nach Optimierung der Eigenschaften der Transistoren durch Wahl eines geeigneten Ausgangsmaterials und Einstellung der Herstellungsschritte sollen sie als Treiberbauteile in Flüssigkristallsystemen integriert werden.

heutigen konzepte von halble-und opto-elektronischen basieren vollsthndig auf photolithoscher usasserung substrat es es es es es es de eer von eer vielzahl vielzahl vonp vonpräpartriationwie wie degen degen de bekanntementrra petherrry limititrrimition ewrithe imite nimite nimite nimiteniite vernitry vern vernd Ren密集的Erforschungund End Entwicklung von替代品的蒙面HerstellungstechnikenDurchgefürt。 Zur Zeit Dominieren silizium-bastronische bauteile himitflüssigkristallen。 Organische Mettersien AusgeweitetetetenKönnte。 Hergestelten“ - Transistoren Elektrisch Durchstrom-und Wechselstromesungen Siert Werden，是Zur aufdeckunger Ihrer Ihrer Ihrer ihrer ihrer ihrer grundlegenden机械， Sollen Sie Als Treiberbauteile在Flussigkristallstemen Integriert Werden中。