Räumliche Positionierung von verspannten InAs-Quantenpunkten mittels fokussiertionenimplantations-induzierter Wachstumskeime

使用聚焦离子注入诱导生长种子对应变 InAs 量子点进行空间定位

• 批准号: 5184190
• 负责人: Professor Dr. Andreas Dirk Wieck
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Experimentelle Physik VI: Lehrstuhl Angewandte Festkörperphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5184190?language=en
• 关键词: umliche; Positionierung; von; verspannten; InAs

Die optischen und elektronischen Eigenschaften von selbstorganisiert wachsenden InAs-Inseln auf GaAs sind ein hochaktuelles Forschungsgebiet, an dem weltweit zahlreiche Gruppen arbeiten. Ein großer Nachteil liegt in der statistischen Natur des Inselwachstums, d.h. der Experimentator hat keine Kontrolle über den Entstehungsort einer Insel. Trotz einiger Versuche ist es bis jetzt noch nicht gelungen, die Bildung von einzelnen Inseln hoher Kristallqualität zuverlässig an vorgegebenen Orten zu induzieren. In dem hier vorgeschlagenen Vorhaben sollen durch Ionenimplantation Wachstumskeime gelegt werden, was beim anschließenden Überwachsen mit InAs zu Inselbildung an den vorgegebenen Stellen führt. Es sollen sowohl die Ionendosis als auch die Wachstumsparameter optimiert werden. Die positionierten Quantenpunkte sollen anschließend optisch und elektrisch untersucht werden, um die Möglichkeit ihrer Integration in Bauelemente vorzubereiten.

在砷化镓研究中，砷化镓是一个研究小组的世界。 d.h. der Experimentator hat keine Kontrolle über den entstehungsort einer Insel。 InAs zu Inselbildung an den vorgegebenen Stellen führt.Es sowohl die Ionendosis als auch die Wachstumsparameter optimiert werden.整个解决方案的位置是光学和电气方面的，是在组件元素中集成的。