グラファイト及びその層間化合物のポイントコンタクトスペクトル

石墨及其插层化合物的点接触光谱

基本信息

批准号：
59540191
负责人：
佐藤英行
金额：
$ 0.83万
依托单位：
Tokyo Metropolitan University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1984
资助国家：
日本
起止时间：
1984 至 1985
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-59540191/
关键词：
ポイントコンタクトスペクトルグラファイト GIC

项目摘要

1.Gaのスペクトル-測定系の改良を兼ね通常金属中では測定が困難とされてきたGa単結晶でスペクトルの観測を試み、成功した。観測された6つのピークは中性子非弾性散乱により求められたフォノン状態密度のそれと良く対応付られた。又30mVの光学フォノンモードが他のモードに比べ伝導電子との結合が非常に小さいことを見いだした。2.グラファイトおよびGICのスペクトル-(1)種々のグラファイト(kish,HOPG,grassy carbon等)で測定が成された。微分抵抗のバイアス電圧依存性が通常金属の物と異なり、O-バイアス近傍で最大を持ちバイアス電圧と共に減少することが見いだされた。これはグラファイトではFermi面近傍で電子状態密度のエネルギー依存性が急であるためとして解釈された。抵抗の大きなコンタクトでは中性子散乱より求められたフォノン状態密度のピークに対応する2つのピークが数10mVの範囲に見いだされた。抵抗の小さいコンタクトでは2階微分信号に鋭い谷を見いだした。磁場依存性、ド.ハースシュブニコフ振動が観測される等グラファイト特有の現象であるが、更に詳しく調べる必要がある。(2)SbCl_5、AsF_5-GICで測定が成された。電子-フォノン相互作用に関する情報を得る為に、非常に微妙な接触のコンタクトで測定を繰り返した所、グラファイトと類似の結果が得られた。GICの表面からは化合物が逃げだしているという光測定の報告もあり検討の必要がある。3.heterocontactのスペクトル-異種間コンタクトスペクトルに関し、Baranger等により理論的予言が成されたが、これをAl/ln系で検証することに成功した。4.広く稀土類化合物、特にCe金属間化合物に適用され、それらの熱電能測定と共に興味ある結果を与えた。5.新しい手法の開発という立場から、2接点方(Transverse Electron Focusing)の信号の電流依存性を測定することを試み、Alにおいて特有の軌道上の電子とフォノンの相互作用を見ることに成功した。

1. Ga的光谱 - 除了改进测量系统之外，我们还尝试观察通常在金属中难以测量的Ga单晶的光谱，并取得了成功。观察到的六个峰与非弹性中子散射确定的声子态密度的峰很好地对应。我们还发现，与其他模式相比，30mV 光学声子模式与传导电子的耦合非常小。 2.石墨和GIC的光谱-(1)对各种石墨(kish、HOPG、草炭等)进行测量。研究发现，微分电阻的偏置电压依赖性与普通金属不同，在O-bias附近具有最大值，并随着偏置电压的增加而减小。这被解释为由于石墨中费米表面附近电子态密度的陡峭能量依赖性。对于大电阻的接触，在几十mV范围内发现了两个峰值，对应于中子散射测定的声子态密度的峰值。我们发现低电阻触点的二阶微分信号存在尖锐的谷值。磁场依赖性和德哈斯-舒布尼科夫振荡是石墨所特有的观察到的现象，但需要对其进行更详细的研究。 (2)用SbCl_5和AsF_5-GIC进行测量。为了获得有关电子-声子相互作用的信息，我们用非常精细的接触重复测量，并获得了与石墨类似的结果。光学测量也有报告称化合物正在从 GIC 表面逸出，这需要进行研究。 3. 异质接触谱 - Baranger 等人对异质接触谱进行了理论预测，并在 Al/In 系统中成功验证了这一点。 4.它广泛应用于稀土化合物，特别是Ce金属间化合物，并给出了有趣的结果及其热电势测量。 5.从开发新方法的角度出发，我们尝试测量两个接触点的信号的电流依赖性（横向电子聚焦），并成功观察到了Al特有的轨道电子和声子之间的相互作用。