UーTーSn_3(T:Ru,Rh,Ir)系化合物の探索と輸送測定による評価

搜索 U-T-Sn_3(T:Ru,Rh,Ir) 基化合物并通过传输测量进行评估

基本信息

批准号：
02216210
负责人：
佐藤英行
金额：
$ 1.54万
依托单位：
Tokyo Metropolitan University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1990
资助国家：
日本
起止时间：
1990 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-02216210/
关键词：
重い電子ウラン化合物輸送効果

项目摘要

我々はこれまでRERuSN_3(RE:軽希土類)について結晶育成と物性測定を行ってきており、CeRuSn_3で高濃度近藤的振舞い、SmRuSn_3で価数揺動的振舞いを見いだした。この物質系はRE間距離が4.8オングストロ-ムと大きく、REサイトをUで置換した系も興味深い。U_3Rh_4Sn_<13>とU_3Ru_4Sn_<13>の育成に成功した。U_3Rh_4Sn_<13>の電気抵抗は降温と共に対数的に増加し飽和傾向を見せた後、17Kで再び急な増加を示す。1.5K迄抵抗減少は観測されない。帯磁率は高温でキュリ-ワイス則に従うが、17Kに急激な増加が観測される。何等かの磁気オ-ダ-が起きていることを示している。低温での電子比熱係数は〜260mJ/mol.K^2であり、かなりの質量増加がある。U_3Ru_4Sn_<13>の帯磁率も、高温でキュリ-ワイス則にのり、1.8Kまで磁気オ-ダ-を示さないが、低温でかなり大きな値を持つ。電気抵抗の温度依存は、U_3Rh_4Sn_<13>と異なり、低温から〜100Kにかけて急激な増加を示し、スピンフラクチュエ-ション散乱を示唆する。Snを含む3元系を調べるにあたり、UーSn系の金属間化合物の物性を知ることは基本的な問題であるが、USn_3以外の化合物については全く知られていない。そこで、U_3Sn_5及びU_3Sn_2の育成と物性測定を行った。U_3Sn_5については残留抵抗〜μΩcmの良質の試料がつくられた。低温で強磁性であるが、50K〜100Kに複雑な磁性を示す。抵抗は温度低下と共に増加して、70Kで急激な曲がりを示した後、低温でマグノン散乱によると思われる。T^2依存を示す。U_3Sn_2は〜50Kで強磁性転移を示し、SQUID磁束計による磁化の垂直成分が5.5Tでもかなり大きいことは、異方的な強磁性体と考えられる。更に、Ce系との比較を行うため、多種のU化合物で熱電能の測定が行われ、いくつかの特徴ある振舞いが捉えられた。

我们一直在生长晶体并测量RERuSN_3（RE：轻稀土）的物理性质，发现CeRuSn_3具有高浓度Kondo样行为，SmRuSn_3具有价态波动行为。该材料系统具有4.8埃的大RE距离，其中RE位点被U取代的系统也很有趣。成功提高了U_3Rh_4Sn_<13>和U_3Ru_4Sn_<13>。 U_3Rh_4Sn_<13>的电阻随着温度的降低呈对数增加，呈现饱和趋势，然后在17K时再次急剧增加。高达 1.5K 时未观察到电阻下降。高温下磁化率遵循居里-韦斯定律，但在 17K 时观察到快速增加。这表明某种磁序正在发生。低温下的电子比热系数约为 260 mJ/mol.K^2，这是一个显着的质量增加。 U_3Ru_4Sn_<13>的磁化率在高温下也遵循居里-维斯定律，在1.8K以下不表现出任何磁序，但在低温下具有相当大的值。与U_3Rh_4Sn_<13>不同，电阻的温度依赖性显示出从低温到～100K的快速增加，表明自旋分数散射。在研究含Sn三元体系时，了解U-Sn金属间化合物的物理性质是一个基本问题，但对USn_3以外的化合物却一无所知。因此，我们生长了U_3Sn_5和U_3Sn_2并测量了它们的物理性质。对于U_3Sn_5，制备了残余电阻~μΩcm的优质样品。它在低温下具有铁磁性，但在 50K 至 100K 之间表现出复杂的磁性。电阻随着温度降低而增加，在 70 K 时表现出急剧弯曲，然后似乎是由于低温下的磁振子散射所致。表示 T^2 依赖性。 U_3Sn_2在~50K时表现出铁磁转变，并且SQUID磁力计测量的磁化强度的垂直分量即使在5.5T下也相当大，这一事实表明它是一种各向异性铁磁材料。此外，为了与Ce基化合物进行比较，对各种U化合物进行了热电势测量，并观察到了一些特征行为。