グラファイト型層状窒化ホウ素の気相合成と光電子素子材料としての物性解明

石墨型层状氮化硼的气相合成及其作为光电器件材料的物理性能

基本信息

  • 批准号:
    23K17757
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 4.16万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-06-30 至 2025-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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秩父 重英其他文献

BGaN 中性子検出器における結晶品質およびデバイス構造が検出特性に与える影響(2)
晶体质量和器件结构对 BGaN 中子探测器探测特性的影响 (2)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    宮澤 篤也;太田 悠斗;松川 真也;林 幸佑;中川 央也;川崎 晟也;安藤 悠人;本田 善央;天野 浩;嶋 紘平;小島 一信;秩父 重英;井上 翼;青木 徹;中野 貴之
  • 通讯作者:
    中野 貴之
BGaN結晶成長におけるTMB流量依存性の検討および中性子検出デバイスの作製
BGaN晶体生长和中子探测装置制造中TMB流依赖性的研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    太田 悠斗;高橋 祐吏;丸山 貴之;山田 夏暉;中川 央也;川崎 晟也;宇佐美 茂佳;本田 善央;天野 浩;嶋 紘平;小島 一信;秩父 重英;井上 翼;青木 徹;中野 貴之
  • 通讯作者:
    中野 貴之
BGaN半導体検出器の厚膜化および放射線検出特性評価
BGaN半导体探测器的增厚及辐射探测特性评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高橋 祐吏;丸山 貴之;山田 夏暉;江原 一司;望月 健;中川 央也;宇佐美 茂佳;本田 善央;天野 浩;小島 一信;秩父 重英;井上 翼;青木 徹;中野 貴之
  • 通讯作者:
    中野 貴之
MOVPE 法を用いた厚膜BGaN 結晶成長の検討および縦型中性子検出デバイスの作製
MOVPE法厚膜BGaN晶体生长研究及垂直中子探测装置的制作
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    丸山 貴之;高橋 祐吏;山田 夏暉;江原 一司;望月 健;中川 央也;宇佐美 茂佳;本田 善央;天野 浩;小島 一信;秩父 重英; 井上 翼;青木 徹;中野 貴之
  • 通讯作者:
    中野 貴之
Why anti-female genital mutilation/cutting activities are not changing people’s attitudes?: The case from western part of Kenya
为什么反女性生殖器切割活动没有改变人们的态度?:来自肯尼亚西部的案例
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    太田 悠斗;高橋 祐吏;山田 夏暉;宮澤 篤也;中川 央也;川崎 晟也;本田 善央;天野 浩;嶋 紘平;小島 一信;秩父 重英;井上 翼;青木 徹;中野 貴之;Satomi Ohgata;石坂晋哉;北彩友海;仲条 一輝,大野 圭太,林 純一,葛谷 俊博,関根ちひろ,武田 圭生,濱中泰,若林大佑,佐藤友子,船守展正;板垣武尊・澁谷和樹;Jiawen Xu and Hajime Murao;Larbi Sadiki ed.(末近浩太 酒井啓子との共著);Kaori Miyachi
  • 通讯作者:
    Kaori Miyachi

秩父 重英的其他文献

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六方晶および閃亜鉛鉱構造窒化ホウ素の高温気相エピタキシャル成長と導電性制御
六方和闪锌矿结构氮化硼的高温气相外延生长及电导率控制
  • 批准号:
    23K22786
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
六方晶および閃亜鉛鉱構造窒化ホウ素の高温気相エピタキシャル成長と導電性制御
六方和闪锌矿结构氮化硼的高温气相外延生长及电导率控制
  • 批准号:
    22H01516
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高効率可視・紫外光源を目指した非極性 III 族窒化物半導体量子構造の形成
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  • 批准号:
    06F06385
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
酸化亜鉛系半導体を用いた室温動作励起子ポラリトンレーザ実現に関する基礎研究
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  • 批准号:
    15656080
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー法の提案と酸化物半導体ナノ構造の形成
螺旋波激发等离子体溅射外延方法及氧化物半导体纳米结构形成的提出
  • 批准号:
    13750264
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
窒化物半導体量子井戸構造の光学遷移過程における励起子局在効果の研究
氮化物半导体量子阱结构光跃迁过程中激子局域化效应研究
  • 批准号:
    11750268
  • 财政年份:
    1999
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
MOCVD成長高品質銅カルコパイライト半導体エピタキシャル層の発光素子化検討
用于发光器件的MOCVD生长的高质量铜黄铜矿半导体外延层的考虑
  • 批准号:
    07750370
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

相似海外基金

Re-examination of the movement history of the Median Tectonic Line in Ina area
伊那地区中位构造线运动历史的再审视
  • 批准号:
    15K05318
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Heteroepitaxy of III-nitride thin films with ultra low defect density
超低缺陷密度III族氮化物薄膜的异质外延
  • 批准号:
    23656020
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
成長初期過程に着目した炭化珪素基板上III族窒化物成長層の貫通転位低減
减少碳化硅衬底上 III 族氮化物生长层中的穿透位错,重点关注初始生长过程
  • 批准号:
    09J05229
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Growth of aluminum nitride with a new crystal structure for deep-ultraviolet light emitting devices
用于深紫外发光器件的新型晶体结构氮化铝的生长
  • 批准号:
    20360008
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
炭化珪素基板上高品質無極性面III族窒化物の成長と電子・光デバイス応用に関する研究
碳化硅衬底上高质量非极性III族氮化物的生长及其在电子光学器件中的应用研究
  • 批准号:
    08J08091
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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