Lattice defects of multi metal oxide materials
多金属氧化物材料的晶格缺陷
基本信息
- 批准号：26870717
- 负责人：
- 金额：$ 2.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（15）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Low temperature deposition of SiOx insulator film with newly developed facing electrodes chemical vapor deposition
- DOI：10.1016/j.vacuum.2013.08.003
- 发表时间：2014-03
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：T. Matsuda;M. Furuta;T. Hiramatsu;H. Furuta;T. Kawaharamura;T. Hirao
- 通讯作者：T. Matsuda;M. Furuta;T. Hiramatsu;H. Furuta;T. Kawaharamura;T. Hirao
新規レアメタルフリーAOS-TFTの研究開発
新型无稀有金属AOS-TFT的研发
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：梅田 鉄馬;加藤 雄太;西本 大樹;松田 時宜;木村 睦
- 通讯作者：木村 睦
Development and Evaluation of New oxide semiconductor
新型氧化物半导体的开发与评估
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Tokiyoshi Matsuda;and Mutsumi Kimura
- 通讯作者：and Mutsumi Kimura
Paramagnetic Defects in Oxide Semiconductor Films Deposited by RF Magnetron Sputtering (RFマグネトロンスパッタリング法によって成膜された酸化物半導体薄膜中に導入された常磁性欠陥)
射频磁控溅射沉积氧化物半导体薄膜中的顺磁缺陷
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Tokiyoshi Matsuda;and Mutsumi Kimura
- 通讯作者：and Mutsumi Kimura
Evaluation of Defects in Oxide Semiconductors using Electron Spin Resonance (ESR)
使用电子自旋共振 (ESR) 评估氧化物半导体中的缺陷
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Tokiyoshi Matsuda;and Mutsumi Kimura
- 通讯作者：and Mutsumi Kimura
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Matsuda Tokiyoshi其他文献
SML#の並列処理機能とその性能
SML并行处理函数及其性能
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Takishita Yuta;Kobayashi Masaki;Hattori Kazuki;Matsuda Tokiyoshi;Sugisaki Sumio;Nakashima Yasuhiko;Kimura Mutsumi;上野雄大，大堀淳 - 通讯作者：
上野雄大，大堀淳
関係代数を基礎とするプログラムに現れる名前解析システム
出现在基于关系代数的程序中的名称解析系统。
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Takishita Yuta;Kobayashi Masaki;Hattori Kazuki;Matsuda Tokiyoshi;Sugisaki Sumio;Nakashima Yasuhiko;Kimura Mutsumi;上野雄大，大堀淳;大堀淳，上野雄大 - 通讯作者：
大堀淳，上野雄大
An indentation microscope: A powerful tool for evaluating deformation and cracking in glass
压痕显微镜：评估玻璃变形和裂纹的强大工具
- DOI：
- 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Takishita Yuta;Kobayashi Masaki;Hattori Kazuki;Matsuda Tokiyoshi;Sugisaki Sumio;Nakashima Yasuhiko;Kimura Mutsumi;Satoshi Yoshida - 通讯作者：
Satoshi Yoshida
押し込み試験中のガラスの応力分布とクラック発生挙動の関係
压痕试验时玻璃应力分布与裂纹产生行为的关系
- DOI：
- 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Kimura Mutsumi;Umeda Kenta;Ikushima Keisuke;Hori Toshimasa;Tanaka Ryo;Shimura Junpei;Kondo Atsushi;Tsuno Takumi;Sugisaki Sumio;Kurasaki Ayata;Hashimoto Kaito;Matsuda Tokiyoshi;Kameda Tomoya;Nakashima Yasuhiko;浅井 敬祐，吉田 智，山田 明寛，松岡 純，アンドレイ エラパルト，チャールズ カーキャン - 通讯作者：
浅井 敬祐，吉田 智，山田 明寛，松岡 純，アンドレイ エラパルト，チャールズ カーキャン
Mapping the interfacial reaction of α-Ga2O3 Schottky contacts through scanning internal photoemission microscopy
通过扫描内部光电显微镜绘制 α-Ga2O3 肖特基接触的界面反应
- DOI：
10.1016/j.tsf.2019.05.063 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：2.1
- 作者：
Shiojima Kenji;Kambara Hitoshi;Matsuda Tokiyoshi;Shinohe Takashi - 通讯作者：
Shinohe Takashi
Matsuda Tokiyoshi的其他文献
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{{ truncateString('Matsuda Tokiyoshi', 18)}}的其他基金
Development of Rare-metal-free Ga-Sn-O electron devices with defect evaluation
开发具有缺陷评估功能的无稀有金属 Ga-Sn-O 电子器件
- 批准号：
16K06733 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
高温プラズマ熱流により結晶化したSiGe薄膜の粒界制御と微視的構造の解明
高温等离子体热流结晶SiGe薄膜的晶界控制和微观结构解析
- 批准号：
21K14547 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Study of development process of vacancy-type defects in rare-gas-plasma-induced metal-nanostructure formation process
稀有气体等离子体诱导金属纳米结构形成过程中空位型缺陷的发展过程研究
- 批准号：
17K14896 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Polarity control and point defects in low temperature grown polycrystalline zinc oxide thin films
低温生长多晶氧化锌薄膜的极性控制和点缺陷
- 批准号：
17K06356 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of InN semiconductors for application of thermoelectric conversion devices
开发用于热电转换器件的InN半导体
- 批准号：
16H03860 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Control of hydrogen recycling using hydrogen barrier effect of deposition layer
利用沉积层的氢阻挡效应控制氢回收
- 批准号：
16H02441 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)