Development of Rare-metal-free Ga-Sn-O electron devices with defect evaluation

开发具有缺陷评估功能的无稀有金属 Ga-Sn-O 电子器件

基本信息

批准号：
16K06733
负责人：
Matsuda Tokiyoshi
金额：
$ 3.16万
依托单位：
Ryukoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K06733/
关键词：
酸化物半導体薄膜トランジスタレアメタル熱電素子フレキシブルデバイスアモルファス酸化物半導体酸化ガリウムスズ電圧ストレス試験低温TFT ミストCVD 抵抗変化型メモリーニューラルネットワーク格子欠陥光照射電圧ストレス試験機能性セラミックス材料酸素空孔薄膜デバイス

项目摘要

项目成果

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专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Development of Two-Layered ReRAM using Ga-Sn-O Thin Film

使用 Ga-Sn-O 薄膜开发两层 ReRAM

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ayata Kurasaki;Sumio Sugisaki;Ryo Tanaka;Tokiyoshi Matsuda;and Mutsumi Kimura
通讯作者：
and Mutsumi Kimura

Evaluation of Defects in Oxide Semiconductors using Electron Spin Resonance (ESR)

使用电子自旋共振 (ESR) 评估氧化物半导体中的缺陷

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Tokiyoshi Matsuda;and Mutsumi Kimura
通讯作者：
and Mutsumi Kimura

Ga-Sn-O thin film thermoelectric conversion devise fabricated by Mist CVD method

雾化CVD法制备Ga-Sn-O薄膜热电转换器件

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
T Aramaki;T Matsuda;K Umeda;M Uenuma;M Kimura
通讯作者：
M Kimura

Thermoelectric effect of Ga-Sn-O thin films

Ga-Sn-O薄膜的热电效应

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Tokiyoshi Matsuda;Mutsunori Uenuma;Mutsumi Kimura
通讯作者：
Mutsumi Kimura

新規レアメタルフリーAOS-TFTの研究開発

新型无稀有金属AOS-TFT的研发

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
梅田鉄馬;加藤雄太;西本大樹;松田時宜;木村睦
通讯作者：
木村睦

DOI：
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通讯作者：
大堀淳，上野雄大

押し込み試験中のガラスの応力分布とクラック発生挙動の関係

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发表时间：
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通讯作者：
浅井敬祐，吉田智，山田明寛，松岡純，アンドレイ　エラパルト，チャールズ　カーキャン

An indentation microscope: A powerful tool for evaluating deformation and cracking in glass

压痕显微镜：评估玻璃变形和裂纹的强大工具

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takishita Yuta;Kobayashi Masaki;Hattori Kazuki;Matsuda Tokiyoshi;Sugisaki Sumio;Nakashima Yasuhiko;Kimura Mutsumi;Satoshi Yoshida
通讯作者：
Satoshi Yoshida