Terahertz quantum cascade lasers based on (GaN)m/(AlN)n monolayer superlattices in order to exploit their potential for high temperature operation
基于 (GaN)m/(AlN)n 单层超晶格的太赫兹量子级联激光器,以开发其高温运行潜力
基本信息
- 批准号:17K14113
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2017
- 资助国家:日本
- 起止时间:2017-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
GaN系THz量子カスケードレーザーの導波路設計
GaN基太赫兹量子级联激光器波导设计
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:王 科,林 宗澤;寺嶋 亘、平山 秀樹
- 通讯作者:寺嶋 亘、平山 秀樹
Hybrid growth of AlGaN deep ultraviolet light emitting diodes by MBE and MOCVD
MBE和MOCVD混合生长AlGaN深紫外发光二极管
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Wang;N. Maeda;M. Khan;H. Hirayama:
- 通讯作者:H. Hirayama:
Optimization of terahertz quantum cascade lasers by suppressing carrier leakage channel via high-energy state
- DOI:10.7567/apex.11.112702
- 发表时间:2018-10
- 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:Tsung-Tse Lin;Li Wang;Ke Wang;T. Grange;H. Hirayama
- 通讯作者:Tsung-Tse Lin;Li Wang;Ke Wang;T. Grange;H. Hirayama
: “MBE grown p-type AlGaN and MBE-MOCVD hybrid deep ultraviolet light emitting diodes
:“MBE 生长的 p 型 AlGaN 和 MBE-MOCVD 混合深紫外发光二极管
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Wang;N. Maeda;K. Mahanmad;H. Hirayama
- 通讯作者:H. Hirayama
High output power THz quantum cascade lasers and their temperature dependent performance
高输出功率太赫兹量子级联激光器及其温度依赖性性能
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0.7
- 作者:Lin Tsung-Tse;Wang Ke;Wang Li and Hirayama Hideki
- 通讯作者:Wang Li and Hirayama Hideki
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Wang Ke其他文献
Apparent permeability model for gas transport in shale reservoirs with nano-scale porous media
纳米级多孔介质页岩储层气体运移视渗透率模型
- DOI:
10.1016/j.jngse.2018.05.026 - 发表时间:
2018-07 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Wang Shan;Shi Juntai;Wang Ke;Sun Zheng;Miao Yanan;Hou Chenhong - 通讯作者:
Hou Chenhong
Robust CaZrO3-modified (K, Na)NbO3-based lead-free piezoceramics: High fatigue resistance insensitive to temperature and electric field
坚固的 CaZrO3 改性 (K, Na)NbO3 基无铅压电陶瓷:高抗疲劳性,对温度和电场不敏感
- DOI:
10.1063/1.4932144 - 发表时间:
2015-10 - 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:
Yao Fang-Zhou;Wang Ke;Shen Yang;Li Jing-Feng - 通讯作者:
Li Jing-Feng
Deep-brain three-photon microscopy excited at 1600 nm with silicone oil immersion
硅油浸泡在 1600 nm 激发的深脑三光子显微镜
- DOI:
10.1002/jbio.201800423 - 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:2.8
- 作者:
Tong Shen;Liu Hongji;Cheng Hui;He Chen;Du Yu;Zhuang Ziwei;Qiu Ping;Wang Ke - 通讯作者:
Wang Ke
ALMA Observations Reveal No Preferred Outflow-filament and Outflow-magnetic Field Orientations in Protoclusters
ALMA 观测揭示原星团中没有首选的流出丝和流出磁场方向
- DOI:
10.3847/1538-4357/ab66b6 - 发表时间:
2019-12 - 期刊:
- 影响因子:4.9
- 作者:
Baug T.;Wang Ke;Liu Tie;Tang Mengyao;Zhang Qizhou;Li Di;Eswaraiah Chakali;Liu Sheng-Yuan;Tej An;mayee;Goldsmith Paul F.;Bronfman Leonardo;Qin Sheng-Li;Toth Viktor L.;Li Pak-Shing;Kim Kee-Tae - 通讯作者:
Kim Kee-Tae
Crystalline and amorphous carbon double-modified silicon anode: Towards large-scale production and superior lithium storage performance
晶质和非晶碳双改性硅负极:迈向规模化生产和优越的储锂性能
- DOI:
10.1016/j.ces.2020.116054 - 发表时间:
2021-01 - 期刊:
- 影响因子:4.7
- 作者:
Yang Yang;Lu Zongjing;Xia Jing;Liu Yang;Wang Ke;Wang Xi - 通讯作者:
Wang Xi
Wang Ke的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Wang Ke', 18)}}的其他基金
A Study of the Muslim Lineage in Southern China
中国南方穆斯林世系研究
- 批准号:
24401038 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似国自然基金
硅基InAs/GaSb超晶格红外探测材料的MBE生长与特性研究
- 批准号:62104236
- 批准年份:2021
- 资助金额:24.00 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
二维拓扑绝缘体薄膜锡烯的MBE原位生长、表征及拓扑性质的调控
- 批准号:
- 批准年份:2020
- 资助金额:24 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
LaMnO3/LaXO3超晶格L-MBE生长及应力和失配诱导的磁电耦合输运性能研究
- 批准号:11904198
- 批准年份:2019
- 资助金额:26.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
硅基深紫外AlGaN量子点的MBE可控生长及超材料光学特性的研究
- 批准号:61804163
- 批准年份:2018
- 资助金额:26.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
基于自支撑衬底的GaN基共振隧穿二极管结构设计和MBE生长研究
- 批准号:61875224
- 批准年份:2018
- 资助金额:61.0 万元
- 项目类别:面上项目
相似海外基金
Near-infrared GaN quantum cascade laser for the next-generation self-driving car
用于下一代自动驾驶汽车的近红外GaN量子级联激光器
- 批准号:
21H01376 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Growth of GaN-based devices on metal and glass substrates using layered BN
使用层状 BN 在金属和玻璃基板上生长 GaN 基器件
- 批准号:
18H01886 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Mechanical transfer of GaN-based devices using layered BN
使用层状氮化硼机械转移氮化镓基器件
- 批准号:
26246015 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Fabrication processes of GaN-based integrated surface-emitting devices using a chemical liftoff techniques
采用化学剥离技术的 GaN 基集成表面发射器件的制造工艺
- 批准号:
25420341 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Fabrication of planar-type GaN-based surface emitting devices
平面型GaN基表面发射器件的制造
- 批准号:
21560361 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)